[發(fā)明專利]硅片級別的頻率測試方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910057945.6
• 申請日: 2009-09-24
• 公開（公告）號: CN102033160A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 繆小波;謝晉春;桑浚之;辛吉升
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G01R23/02
• 分類號: G01R23/02;G11C29/00
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種硅片級別的頻率測試方法，其特征在于：是在存儲器測試儀上，利用其自身帶有的失效地址內(nèi)存資源進(jìn)行頻率測試，至少包括以下步驟：

第一步，選擇掃描頻率，對待測波形進(jìn)行掃描，掃描得到相應(yīng)的采樣模擬信號，根據(jù)所述待測波形頻率預(yù)估值選取所述掃描頻率；

第二步，選擇掃描參考電壓，將所述采樣模擬信號轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號，所述掃描參考電壓是根據(jù)所述采樣模擬信號的輸出電壓的最大值和最小值進(jìn)行設(shè)定，用所述采樣模擬信號輸出值和所述掃描參考電壓進(jìn)行比較，當(dāng)所述采樣模擬信號輸出值大于所述掃描參考電壓時，得到所述數(shù)字信號的值為1，當(dāng)所述采樣模擬信號輸出值小于所述掃描參考電壓時，得到所述數(shù)字信號的值為0；

第三步，利用所述失效地址資源對所述數(shù)字信號進(jìn)行存儲；

第四步，對所存儲的所述數(shù)字信號進(jìn)行處理，將所述數(shù)字信號連續(xù)出現(xiàn)的1值合并為一個1，將所述數(shù)字信號連續(xù)出現(xiàn)的0值合并為一個0，將合并得到的所述一個1和一個0合并為一個周期，根據(jù)上述處理計(jì)算出所述數(shù)字信號合并后的周期數(shù)，根據(jù)所述掃描頻率計(jì)算出所述數(shù)字信號的掃描時間，用所述周期數(shù)除以所述掃描時間即得到所述待測波形的頻率值。

2.如權(quán)利要求1所述的硅片級別的頻率測試方法，其特征在于：所述掃描頻率一般選取為所述待測波形頻率預(yù)估值10倍的頻率，也能選擇10倍以上的頻率，所述掃描頻率越高，頻率測試的精度也越高。

3.如權(quán)利要求1所述的硅片級別的頻率測試方法，其特征在于：所述掃描參考電壓一般設(shè)定為所述輸出電壓的最大值和最小值的中間值。