[發明專利]硅片級別的頻率測試方法

有效

• 申請號: 200910057945.6
• 申請日: 2009-09-24
• 公開（公告）號: CN102033160A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 繆小波;謝晉春;桑浚之;辛吉升
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G01R23/02
• 分類號: G01R23/02;G11C29/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種硅片級別的頻率測試方法，其特征在于：是在存儲器測試儀上，利用其自身帶有的失效地址內存資源進行頻率測試，至少包括以下步驟：

第一步，選擇掃描頻率，對待測波形進行掃描，掃描得到相應的采樣模擬信號，根據所述待測波形頻率預估值選取所述掃描頻率；

第二步，選擇掃描參考電壓，將所述采樣模擬信號轉化為數字信號，所述掃描參考電壓是根據所述采樣模擬信號的輸出電壓的最大值和最小值進行設定，用所述采樣模擬信號輸出值和所述掃描參考電壓進行比較，當所述采樣模擬信號輸出值大于所述掃描參考電壓時，得到所述數字信號的值為1，當所述采樣模擬信號輸出值小于所述掃描參考電壓時，得到所述數字信號的值為0；

第三步，利用所述失效地址資源對所述數字信號進行存儲；

第四步，對所存儲的所述數字信號進行處理，將所述數字信號連續出現的1值合并為一個1，將所述數字信號連續出現的0值合并為一個0，將合并得到的所述一個1和一個0合并為一個周期，根據上述處理計算出所述數字信號合并后的周期數，根據所述掃描頻率計算出所述數字信號的掃描時間，用所述周期數除以所述掃描時間即得到所述待測波形的頻率值。

2.如權利要求1所述的硅片級別的頻率測試方法，其特征在于：所述掃描頻率一般選取為所述待測波形頻率預估值10倍的頻率，也能選擇10倍以上的頻率，所述掃描頻率越高，頻率測試的精度也越高。

3.如權利要求1所述的硅片級別的頻率測試方法，其特征在于：所述掃描參考電壓一般設定為所述輸出電壓的最大值和最小值的中間值。