[發(fā)明專利]使用X-射線特征譜對SiGe薄膜進行定量分析的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910057929.7 | 申請日： | 2009-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN102023172A | 公開（公告）日： | 2011-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳建鋼;吳長亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G01N23/083 | 分類號： | G01N23/083;G01N23/223;G01N23/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 使用 射線 特征 sige 薄膜 進行 定量分析 方法 | ||
1.一種使用X-射線特征譜對SiGe薄膜進行定量分析的方法，其特征在于，包含以下步驟：
(1)使用化學(xué)氣相沉積SiGe標(biāo)準(zhǔn)多層漸變薄膜作為標(biāo)準(zhǔn)樣品；
(2)使用二次離子質(zhì)譜儀測定標(biāo)準(zhǔn)樣品的成分，并作為SiGe的X-射線特征譜分析中的標(biāo)準(zhǔn)成分；
(3)對SiGe標(biāo)準(zhǔn)多層漸變薄膜進行多點的等厚度X-射線特征譜定量分析，參照步驟(2)中二次離子質(zhì)譜儀測定的標(biāo)準(zhǔn)成分數(shù)據(jù)，獲得其Si，Ge的X-射線特征譜與SiGe厚度的關(guān)系；
(4)將化學(xué)氣相沉積工藝完成后的SiGe薄膜制成透射電鏡樣品，進行多點的等厚度X-射線特征譜定量分析，根據(jù)步驟(3)得到的SiGe標(biāo)準(zhǔn)多層漸變薄膜X-射線特征譜與SiGe厚度的關(guān)系，使用定量分析公式及系數(shù)修正，最終獲得工藝SiGe薄膜的Si，Ge原子百分比與厚度的關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1所述的使用X-射線特征譜對SiGe薄膜進行定量分析的方法，其特征在于：步驟(1)中所述SiGe標(biāo)準(zhǔn)多層漸變薄膜為八層SiGe薄膜，每層的成分比不同，Ge的原子百分比范圍從0.1at％-35at％，每層厚度為400埃。
3.如權(quán)利要求1所述的使用X-射線特征譜對SiGe薄膜進行定量分析的方法，其特征在于：步驟(3)中采用斜線取點法來增加定量分析精度。
4.如權(quán)利要求1所述的使用X-射線特征譜對SiGe薄膜進行定量分析的方法，其特征在于：步驟(4)中所述定量分析公式及系數(shù)為：
工藝SiGe薄膜：CSi/CGe＝KSiGe?Isi/IGe
SiGe標(biāo)準(zhǔn)多層漸變薄膜：CSi/CGe＝KSiGe?Isi/IGe
其中，Csi，CGe是Si，Ge的定量成分；Isi，IGe是Si，Ge?X-射線特征譜的積分強度；系數(shù)KSiGe是SiGe的Cliff-Lorimer因子，從SiGe標(biāo)準(zhǔn)多層漸變薄膜X-射線特征譜的實驗數(shù)據(jù)中獲得。
5.如權(quán)利要求4所述的使用X-射線特征譜對SiGe薄膜進行定量分析的方法，其特征在于：所述系數(shù)KSiGe是ZAF因子的函數(shù)，從理論計算中獲得，Z：原子序數(shù)，A：X-射線吸收，F(xiàn)：X-射線熒光輻射。
6.如權(quán)利要求1所述的使用X-射線特征譜對SiGe薄膜進行定量分析的方法，其特征在于：步驟(3)和步驟(4)中所述進行多點的等厚度的X-射線特征譜定量分析采用20點的等厚度的X-射線特征譜定量分析。
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