[發明專利]BiCMOS半導體結型可變電容及其制造方法

有效

• 申請號: 200910057632.0
• 申請日: 2009-07-23
• 公開（公告）號: CN101964365A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: 錢文生;劉冬華;胡君
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/92
• 分類號: H01L29/92;H01L29/737;H01L21/331
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種BiCMOS半導體結型可變電容，其特征在于，它包含以下部分：

(a)襯底材料，包含N型的集電極區，該集電極區疊加在同導電類型的次集電極區；相應的集電極區上有多個隔離區；

(b)N型穿通注入區，位于至少一對隔離區之間，并連接次集電極區；

(c)覆蓋在襯底材料之上的鍺硅外延層，它包含非本征基區，導電類型是P型；該鍺硅外延層覆蓋在不包括穿通注入區的區域；

(d)位于襯底上部的銦注入集電極區，位于非本征基區與次集電極區之間。

2.如權利要求1所述的BiCMOS半導體結型可變電容，其特征在于，所述的隔離區采用淺溝槽隔離或者選擇性氧化隔離。

3.如權利要求1所述的BiCMOS半導體結型可變電容，其特征在于，所述的銦注入集電極區沒有和所述非本征基區直接接觸。

4.如權利要求1所述的BiCMOS半導體結型可變電容，其特征在于，所述銦注入集電極區與次集電極區之間有磷注入集電極區。

5.一種BiCMOS半導體結型可變電容的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，在襯底較低的部分形成次集電極區；

步驟2，在襯底的上部形成一系列的隔離區；

步驟3，通過銦注入在襯底上部形成集電極區；

步驟4，在至少一對隔離區之間形成穿通注入區，用于連接次集電極區；

步驟5，在集電極區上面形成鍺硅外延層和非本征基區，該鍺硅外延層不覆蓋穿通注入區。

6.如權利要求5所述的BiCMOS半導體結型可變電容的制造方法，其特征在于，步驟1中通過注入磷離子形成次集電極區，其中磷的劑量是1E13到1E16，注入能量從250keV到300keV。

7.如權利要求6所述的BiCMOS半導體結型可變電容的制造方法，其特征在于，在所述注入磷離子之后加一次退火來激活注入的離子，退火溫度為950度到1020度，時間為10秒鐘。

8.如權利要求5所述的BiCMOS半導體結型可變電容的制造方法，其特征在于，步驟2中所述的隔離區采用淺溝槽隔離或者選擇性氧化隔離。

9.如權利要求5所述的BiCMOS半導體結型可變電容的制造方法，其特征在于，步驟3通過銦和磷注入在所述次集電極區上面依次疊加形成磷注入集電極區和銦注入集電極區，該磷注入集電極區位于該銦注入集電極區與該次集電極區之間。

10.如權利要求9所述的BiCMOS半導體結型可變電容的制造方法，其特征在于，所述銦注入中銦的劑量為1E13到1E14，注入能量為30keV到100keV；所述磷注入中磷的劑量為1E12到1E13，注入能量為200keV。