[發明專利]一種增強外延后光刻套準精度的方法

有效

• 申請號: 200910057423.6
• 申請日: 2009-06-17
• 公開（公告）號: CN101924013A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: 王雷;吳鵬;闞歡
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/20;G03F7/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種增強外延后光刻套準精度的方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)在外延層生長前進行光刻產生特定的測試圖形，該測試圖形由一矩形及該矩形的外框圖形組成；

(2)對外延層的襯底進行干法刻蝕；

(3)外延層生長；

(4)后續工藝，采用步驟(3)外延層生長后形成的帶有光刻標記的襯底來制造各種器件。

2.根據權利要求1所述的一種增強外延后光刻套準精度的方法，其特征在于，步驟(1)中所述的外框圖形由多個形狀和大小相同的小圖形構成。

3.根據權利要求2所述的增強外延后光刻套準精度的方法，其特征在于，所述的小圖形的尺寸為0.1～10微米，該小圖形的形狀可以是方形，矩形或其他形狀。

4.根據權利要求1或2所述的增強外延后光刻套準精度的方法，其特征在于，步驟(1)所述的外框圖形是一排或復數排。

5.根據權利要求1所述的增強外延后光刻套準精度的方法，其特征在于，步驟(2)中所述干法刻蝕形成的圖形表面晶向與原有襯底單晶晶向均不同。

6.根據權利要求1所述的增強外延后光刻套準精度的方法，其特征在于，在步驟(1)之前增加如下步驟：在襯底上沉積一層氧化物作為步驟(2)中的刻蝕阻擋層；并在步驟(2)與步驟(3)之間增加如下步驟：采用含HF的藥液進行濕法去除所述的刻蝕阻擋層。

7.根據權利要求1所述的增強外延后光刻套準精度的方法，其特征在于，步驟(3)所述的外延層與襯底晶向完全相同。