[發明專利]在溝槽底部制作厚氧化層的方法

無效

• 申請號: 200910057152.4
• 申請日: 2009-04-29
• 公開（公告）號: CN101877314A
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發明（設計）人: 彭虎;謝烜;楊欣
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L29/06
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 周赤

1.一種在溝槽底部制作厚氧化層的方法，所述溝槽在硅片上，所述硅片表面無溝槽的區域覆蓋有掩膜層；

其特征是，所述方法包含以下步驟：

第1步，在硅片表面生長或淀積一層介質層；

第2步，采用各向異性刻蝕工藝反刻去除溝槽底部的介質層，保留溝槽側壁的介質層；

第3步，采用離子注入工藝在溝槽底部注入氧離子；

第4步，采用干法刻蝕工藝和/或濕法腐蝕工藝去除溝槽側壁介質層和硅片表面的掩模層；

第5步，采用退火工藝對硅片進行退火，在溝槽底部形成1500～6000厚度的厚氧化層。

2.根據權利要求1所述的在溝槽底部制作厚氧化層的方法，其特征是，所述掩膜層為氧化硅、氮化硅、氧化氮化硅或其三者的任意結合。

3.根據權利要求1所述的在溝槽底部制作厚氧化層的方法，其特征是，所述方法第1步中，介質層為熱氧化生長的氧化硅、化學氣相淀積的氧化硅、化學氣相淀積的氮化硅或其三者的任意結合。

4.根據權利要求3所述的在溝槽底部制作厚氧化層的方法，其特征是，所述方法第1步中，所述介質層厚度為500～5000

5.根據權利要求1所述的在溝槽底部制作厚氧化層的方法，其特征是，所述方法第2步中，還同時去除硅片表面的介質層；

或者所述方法第4步中，還同時去除硅片表面的介質層。

6.根據權利要求1所述的在溝槽底部制作厚氧化層的方法，其特征是，所述方法第3步中，所述離子注入為一次注入或多次注入，離子注入角度為0～15度，離子注入的能量為30～300keV(千電子伏特)，離子注入的劑量為1×10¹⁷～3×10¹⁸個離子每平方厘米。

7.根據權利要求1所述的在溝槽底部制作厚氧化層的方法，其特征是，所述方法第5步中，當所述退火工藝為在非氧氣環境進行，則在所述方法第5步之后還包括，在硅片表面再進行氧化工藝，使溝槽側壁形成200～1000厚度的氧化層；

所述方法第5步中，當所述退火工藝為在干氧或濕氧環境進行，則溝槽側壁同時形成200～1000厚度的氧化層。

8.根據權利要求1所述的在溝槽底部制作厚氧化層的方法，其特征是，所述方法第5步中，所述退火工藝的退火溫度為900～1200℃，退火時間為3～60分鐘。

9.根據權利要求1所述的在溝槽底部制作厚氧化層的方法，其特征是，所述方法第5步中，在溝槽底部形成2500～4000厚度的厚氧化層。