[發(fā)明專利]溝槽的填充方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910057115.3
• 申請(qǐng)日: 2009-04-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101872739A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭虎;謝烜;季偉;繆燕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762;H01L21/764;H01L21/316;C23C16/44;C23C16/40
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種溝槽的填充方法，所述溝槽的寬度在1μm以上，溝槽的深度在3μm以上，其特征是，包括如下步驟：

第1步，在具有溝槽的硅片表面上，采用LPCVD工藝以TEOS為原料淀積一層SiO₂；

第2步，在硅片表面上，采用APCVD或SACVD工藝以TEOS和O₃為原料再淀積一層SiO₂；

第3步，在硅片表面上，采用PECVD工藝以TEOS和O₂為原料再淀積一層SiO₂。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽的填充方法，其特征是，

所述方法第1步后，溝槽仍為打開(kāi)狀態(tài)；

所述方法第2步后，溝槽仍為打開(kāi)狀態(tài)，溝槽內(nèi)部形成一個(gè)連通外部的空洞；

所述方法第3步后，溝槽為封閉狀態(tài)，溝槽內(nèi)部的空洞或者消失、或者成為封閉空洞。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽的填充方法，其特征是，所述方法第1步中，淀積厚度為500～

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽的填充方法，其特征是，所述方法第2步中，淀積厚度為1000～

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽的填充方法，其特征是，所述方法第3步中，淀積厚度為1000～

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽的填充方法，其特征是，所述方法第2步中，淀積壓力為30～760Torr，淀積溫度為360～560℃。