[發明專利]交流式覆晶發光二極管結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200910057038.1
• 申請日: 2009-04-07
• 公開（公告）號: CN101859756A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 馮輝慶;黃國欽;潘錫明;朱胤丞
• 申請（專利權）人: 山東璨圓光電科技有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/00;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

技術領域

本發明有關于一種交流式發光二極管結構，其尤指一種交流式覆晶發光二極管結構；此外，本發明還涉及該交流式覆晶發光二極管的制造方法。

背景技術

光電產業的快速發展，光源之一的發光二極管(Light?Emitting?Diode；LED)由于具有省電的特點，已大量廣泛地應用于各種照明或需光源的領域，于光電領域中占有舉足輕重的地位，正因如此，世界各國廠商莫不投入大量資源于相關技術的開發，而于2005之韓國漢城半導體與美國III-N?Technology的產品發表會更說明了交流式發光二極管(AC?LED)產品之發展趨勢，已成為全球性廠商的開發趨勢。

從交流式發光二極管的技術發展至今，已有一種改善早期交流式發光二極管無法于交流電正負半周訊號輸入時皆可發光(全時發光)之問題的橋式交流式發光二極管結構，其主要利用惠斯登電橋(Wheatstone?Bridge)的設計概念，以使交流式發光二極管于交流電正負半周訊號輸入時的每一瞬間僅有總數1/2的交流電之發光現象得以改善。

然而，橋式交流式發光二極管結構中的整流組件直接使用交流式發光二極管，其產生兩項主要缺點，其一，由于單一整流組件(單一顆交流電發光微晶粒)逆向偏壓承受力不佳，故所使用的整流組件的數量無法減少，亦即，必需藉由多顆交流電發光微晶粒串聯于惠斯登電橋之一臂上，才可承受由交流電所施加的逆向偏壓，以市電110V來說，由交流電訊號所施加的逆向偏壓峰值約為，因此，交流電訊號正或負半波所流經路徑之交流電發光微晶粒共需約20顆，以平均承擔逆偏，避免被逆偏擊穿的風險，故，整流組件總數約需要20顆×2＝40顆(交流電訊號正及負半波所流經路徑之交流式發光二極管)，而用以發光之交流式發光二極管數量則被壓抑至110V/3.1V(每顆交流式發光二極管之致動電壓)-20(用以整流之交流式發光二極管數量)＝15顆，由此可知，會產生用以整流之交流式發光二極管的數量遠大于用以發光之交流式發光二極管三數量的情況，且由于整流與發光組件(交流式發光二極管)兩者所耗損的能量相同，故會使得輸入功率浪費于整流組件的比例居高不下，而產生整體效率不佳的情況；其二，雖相較于早期交流式發光二極管之設計，其發光面積已有增加，但仍有為數不少的整流組件因于逆偏時不會發光而造成整體發光面積的浪費。

再者，請參閱中國臺灣專利申請第TWI297200號所申請的一種交流發光體以及交流發光裝置，尤指一種利用具有高逆向崩潰電壓以及低正向開啟電壓特性之整流組件進行整流的交流發光體以及交流發光裝置，請參閱圖1所示，于基板上之整體面積之發光面積并不等于基板面積，由于此專利的設計造成須于基板上有一固定區域以設置整流電路，故，造成發光面積縮小。

綜上所述，交流式發光二極管的主要設計為光源的使用，如何提高其發光效率為一主要課題，而交流式發光二極管的使用于人類之家庭式使用較為廣泛，故解決上述問題實為一最大的課題。

發明內容

本發明要解決的技術問題在于提供一種交流式覆晶發光二極管結構，該結構使發光二極管基板上的發光面積等于基板面積，提高了發光效率。為此，本發明還提供該交流式覆晶發光二極管的制造方法。

為解決上述技術問題，本發明提供一種交流式覆晶發光二極管結構，包括：

一基板，嵌設并相隔設一第一二極管與一第二二極管，嵌設并相隔設一第三二極管與一第四二極管；

一第一發光二極管芯片，設置于該基板之上，該第一發光二極管芯片包含一第一電極與一第二電極，該第二電極通過一第一凸塊分別與該第一二極管、該第二二極管相接，該第一電極通過一第二凸塊與一接點相接，該接點設置于該基板之上；以及

一第二發光二極管芯片，設置于該基板之上，且設置于該第一發光二極管芯片的一側，該第二發光二極管芯片包含一第三電極與一第四電極，該第四電極通過一第三凸塊與該接點相接，該第三電極通過一第四凸塊分別與該第三二極管、該第四二極管相接。

此外，本發明還提供該交流式覆晶發光二極管的制造方法，依次包括如下步驟：

提供一基板，并蝕刻二相隔的一第一凹槽、一第二凹槽及二相隔的一第三凹槽與一第四凹槽；

分別組設一第一二極管、一第二二極管于該第一凹槽與該第二凹槽內以及分別組設一第三二極管與一第四二極管于該第三凹槽與該第四凹槽內；