[發明專利]交流式覆晶發光二極管結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200910057038.1
• 申請日: 2009-04-07
• 公開（公告）號: CN101859756A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 馮輝慶;黃國欽;潘錫明;朱胤丞
• 申請（專利權）人: 山東璨圓光電科技有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/00;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，包括：

一基板，嵌設并相隔設一第一二極管與一第二二極管，嵌設并相隔設一第三二極管與一第四二極管；

一第一發光二極管芯片，設置于該基板之上，該第一發光二極管芯片包含一第一電極與一第二電極，該第二電極通過一第一凸塊分別與該第一二極管、該第二二極管相接，該第一電極通過一第二凸塊與一接點相接，該接點設置于該基板之上；以及

一第二發光二極管芯片，設置于該基板之上，且設置于該第一發光二極管芯片的一側，該第二發光二極管芯片包含一第三電極與一第四電極，該第四電極通過一第三凸塊與該接點相接，該第三電極通過一第四凸塊分別與該第三二極管、該第四二極管相接。

2.如權利要求1所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該基板為一導電基板。

3.如權利要求1所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該接點與該基板之間還包含一絕緣層。

4.如權利要求1所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該第一二極管包含一P型半導體及一N型半導體，該N型半導體與該第一凸塊相連接。

5.如權利要求1所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該第二二極管包含一P型半導體及一N型半導體，該N型半導體與該第一凸塊相連接。

6.如權利要求1所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該第三二極管包含一P型半導體與一N型半導體，該P型半導體與該第四凸塊相連接。

7.如權利要求1所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該第四二極管包含一P型半導體與一N型半導體，該P型半導體與該第四凸塊相連接。

8.如權利要求1所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該第一凸塊與該基板之間還包含一第一絕緣件，該第一絕緣件的尺寸最小為該第一二極管與該第二二極管相隔設的距離，且設置于該第一二極管與該第二二極管相隔設的空間之上。

9.如權利要求1所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該第四凸塊與該基板之間還包含一第二絕緣件，該第二絕緣件的尺寸最小為該第三二極管與該第四二極管相隔設的距離，且設置于該第三二極管與該第四二極管相隔設的空間之上。

10.如權利要求1所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該第一發光二極管芯片與該第二發光二極管芯片之間包含一分隔空間。

11.如權利要求1所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該第一發光二極管芯片與該第二發光二極管芯片之間設置一分隔層。

12.如權利要求1所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該第一發光二極管芯片與該第二發光二極管芯片的結構由下而上包含：

一半導體磊晶層；及

一透明基板。

13.如權利要求12所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該第一發光二極管芯片與該第二發光二極管芯片的透明基板的表面粗化程度介于0.5nm與10um之間。

14.如權利要求1所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該第一發光二極管芯片與該第二發光二極管芯片的結構包含一半導體磊晶層。

15.如權利要求14所述的交流式覆晶發光二極管結構，其特征在于，該半導體磊晶層上方的表面粗化程度介于0.5nm與10um之間。