[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件灰化制程的檢測方法和電特性的檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910056617.4
• 申請日: 2009-08-18
• 公開（公告）號: CN101996909A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾德強(qiáng);吳永皓;段曉斌;楊榮華
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;B07C5/04;H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/316
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導(dǎo)體器件的灰化制程的檢測方法，包括：

提供至少兩個半導(dǎo)體基底，所述至少兩個半導(dǎo)體基底表面均具有第一濃度的摻雜離子；

對所述至少兩個半導(dǎo)體基底分別進(jìn)行不同程度的灰化，在所述至少兩個半導(dǎo)體基底上分別形成不同厚度的氧化層；

測試灰化后的所述至少兩個半導(dǎo)體基底的氧化層的厚度；

挑選出符合氧化層厚度要求的半導(dǎo)體器件，其中符合氧化層厚度要求的半導(dǎo)體器件對應(yīng)的灰化制程為標(biāo)準(zhǔn)灰化制程。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的灰化制程的檢測方法，其特征在于，所述氧化層的厚度范圍為大于等于5埃至小于等于20埃。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的灰化制程的檢測方法，其特征在于，所述測試灰化后的所述至少兩個半導(dǎo)體基底的氧化層的厚度，還包括：對所述至少兩個半導(dǎo)體基底進(jìn)行電特性測試，繪制氧化膜厚度與電特性的關(guān)系圖。

4.如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的灰化制程的檢測方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為晶圓。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的灰化制程的檢測方法，其特征在于，所述灰化制程是晶圓形成的前段工藝中的源漏極形成的灰化制程。

6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的灰化制程的檢測方法，其特征在于，所述摻雜離子為硼(B)、銦(In)、磷(P)或砷(As)離子。

7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的灰化制程的檢測方法，其特征在于，所述對所述至少兩個半導(dǎo)體基底分別進(jìn)行不同程度的灰化，是為了去除所述半導(dǎo)體基底上的光阻層。

8.一種檢測半導(dǎo)體器件的電特性的方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，部分所述半導(dǎo)體襯底被光阻層覆蓋；

采用灰化工藝去除所述光阻層，在所述半導(dǎo)體襯底的裸露部分形成有氧化層；

檢測所述氧化層的厚度，以判斷所述半導(dǎo)體器件的電特性。

9.如權(quán)利要求6所述的檢測半導(dǎo)體器件的電特性的方法，其特征在于，所述氧化層的厚度范圍為大于等于5埃至小于等于20埃。

10.如權(quán)利要求8或9所述的檢測半導(dǎo)體器件的電特性的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為晶圓。

11.如權(quán)利要求4所述的檢測半導(dǎo)體器件的電特性的方法，其特征在于，采用灰化工藝去除所述光阻層是晶圓形成的前段工藝中的源漏極形成的制程。