[發明專利]CMOS圖像傳感器介質層的拋光方法

有效

• 申請號: 200910056029.0
• 申請日: 2009-08-06
• 公開（公告）號: CN101989575A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發明（設計）人: 羅飛;鄒立
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/3105;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種CMOS圖像傳感器介質層的拋光方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底表面形成有介質層，所述介質層表面具有凸起，所述凸起與凸起之間形成溝槽；

在所述介質層表面形成底部抗反射層；

在所述介質層表面和底部抗反射層表面形成光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋凸起；

去除部分光刻膠層直至暴露出凸起；

以所述底部抗反射層和光刻膠層為掩膜，刻蝕介質層直至刻蝕至溝槽底部；

去除所述底部抗反射層和光刻膠層；

對所述介質層執行化學機械拋光。

2.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器介質層的拋光方法，其特征在于，所述介質層厚度為1500埃至1.2微米。

3.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器介質層的拋光方法，其特征在于，所述凸起包括尖角狀凸起與平臺狀凸起。

4.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器介質層的拋光方法，其特征在于，所述去除部分光刻膠工藝為等離子刻蝕去除工藝。

5.如權利要求4所述的CMOS圖像傳感器介質層的拋光方法，其特征在于，所述去除部分光刻膠工藝的參數為：刻蝕設備腔體壓力為50毫托至100毫托，射頻功率為300瓦至500瓦，O₂流量為每分鐘50標準立方厘米至每分鐘250標準立方厘米，N₂流量為每分鐘20標準立方厘米至每分鐘40標準立方厘米，CO流量為每分鐘50標準立方厘米至每分鐘90標準立方厘米。

6.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器介質層的拋光方法，其特征在于，所述刻蝕介質層為等離子刻蝕去除工藝。

7.如權利要求6所述的CMOS圖像傳感器介質層的拋光方法，其特征在于，所述刻蝕介質層參數為：刻蝕設備腔體壓力為25毫托至80毫托，射頻功率為300瓦至600瓦，C₄F₈流量為每分鐘10標準立方厘米至每分鐘30標準立方厘米，CO流量為每分鐘50標準立方厘米至每分鐘200標準立方厘米，Ar流量為每分鐘200標準立方厘米至每分鐘400標準立方厘米，O₂流量為每分鐘10標準立方厘米至每分鐘20標準立方厘米。

8.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器介質層的拋光方法，其特征在于，所述去除部分光刻膠工藝，刻蝕介質層工藝和去除所述底部抗反射層和光刻膠層在同一設備中完成。

9.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器介質層的拋光方法，其特征在于，所述化學機械拋光的具體參數為：選用SiO₂拋光液，拋光液的PH值為10至11.5，拋光液的流量為120毫升每分鐘至170毫升每分鐘，拋光工藝中研磨墊的轉速為65轉每分鐘至80轉每分鐘，研磨頭的轉速為55轉每分鐘至70轉每分鐘，拋光工藝的壓力為200帕至350帕。