[發(fā)明專利]光刻機硅片對準(zhǔn)信號的處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910055927.4
• 申請日: 2009-08-05
• 公開（公告）號: CN101614963A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳延太;宋海軍;李運鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王 潔

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光刻機硅片對準(zhǔn)信號的處理方法。

背景技術(shù)

套刻精度是光刻機關(guān)鍵指標(biāo)之一，為了實現(xiàn)較高的套刻精度，需要精確建立光刻機各坐標(biāo)系之間的關(guān)系。離軸對準(zhǔn)是照射在硅片標(biāo)記上的偏振激光的反射光再經(jīng)由衍射后形成的衍射標(biāo)記和硅片的參考標(biāo)記之間的對準(zhǔn)，由于硅片標(biāo)記附著在硅片或硅片臺上，通過勻速移動工件臺就可以形成對準(zhǔn)標(biāo)記與參考標(biāo)記之間的對準(zhǔn)掃描，通過對同步采樣的光強及數(shù)據(jù)進行信號處理可得到精確的對準(zhǔn)位置。

中國專利200510030807.0公開了一種基于線形模型的實時信號處理方法，其特點在于根據(jù)采樣的時間間隔對最小二乘法的法方程里的系數(shù)矩陣進行逐步求解，在采樣完全結(jié)束后只需對法方程進行求解即可得到擬合參數(shù)，從而確定對準(zhǔn)位置。但在實際掃描過程產(chǎn)生的對準(zhǔn)信號如圖1所示，顯然其并非線性，模型的誤差會直接導(dǎo)致對準(zhǔn)誤差過大。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的光刻機硅片對準(zhǔn)信號的處理過程中對準(zhǔn)誤差大的技術(shù)問題，有必要提供一種對準(zhǔn)誤差大小的光刻機硅片對準(zhǔn)信號的處理方法。

一種光刻機硅片對準(zhǔn)信號的處理方法，包括如下步驟：設(shè)定處理該光刻機硅片對準(zhǔn)信號所采用的非線性模型；對該光刻機硅片進行對準(zhǔn)掃描，獲取位置采樣數(shù)據(jù)和光強采樣數(shù)據(jù)；對該位置采樣數(shù)據(jù)和光強采樣數(shù)據(jù)進行實時累加處理，獲取累加系數(shù)；根據(jù)包含暗電流、正弦系數(shù)和余弦系數(shù)的線性模型確定該非線性模型的非線性參數(shù)初值；根據(jù)該累加系數(shù)和非線性參數(shù)獲取該非線性模型的線性參數(shù)；根據(jù)該累加系數(shù)和該非線性模型的線性參數(shù)獲取該非線性參數(shù)的迭代增量；根據(jù)該迭代增量更新該非線性模型的非線性參數(shù)；判斷該迭代增量是否滿足精度要求，從而確定該非線性模型的最終線性參數(shù)和最終非線性參數(shù)。

本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，在設(shè)定處理該光刻機硅片對準(zhǔn)信號所采用的非線性模型的步驟中，該非線性模型為其中，a₀，a₁Λa_n，b₀，b₁Λb_n表示該非線性模型的線性參數(shù)，表示該非線性模型的非線性參數(shù)，n為自然數(shù)，k為系統(tǒng)設(shè)定值。

本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，根據(jù)對該對準(zhǔn)信號的預(yù)期選取n值，當(dāng)n為1時，該光刻機硅片對準(zhǔn)信號所采用的非線性模型為