[發明專利]光刻機硅片對準信號的處理方法

有效

• 申請號: 200910055927.4
• 申請日: 2009-08-05
• 公開（公告）號: CN101614963A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 陳延太;宋海軍;李運鋒
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王 潔

1.一種光刻機硅片對準信號的處理方法，包括如下步驟：

設定處理該光刻機硅片對準信號所采用的非線性模型；

對該光刻機硅片進行對準掃描，獲取位置采樣數據和光強采樣數據；

對該位置采樣數據和光強采樣數據進行實時累加處理，獲取累加系數；

根據包含暗電流、正弦系數和余弦系數的線性模型確定該非線性模型的非線性參數初值；

根據該累加系數和非線性參數獲取該非線性模型的線性參數；

根據該累加系數和該非線性模型的線性參數獲取該非線性參數的迭代增量；

根據該迭代增量更新該非線性模型的非線性參數；

判斷該迭代增量是否滿足精度要求，從而確定該非線性模型的最終線性參數和最終非線性參數。

2.如權利要求1所述的光刻機硅片對準信號的處理方法，其特征在于：設定處理該光刻機硅片對準信號所采用的非線性模型的步驟中，該非線性模型為

其中，a₀，a₁…a_n，b₀，b₁…b_n表示該非線性模型的線性參數，表示該非線性模型的非線性參數，n為自然數，k為系統設定值。

3.如權利要求2所述的光刻機硅片對準信號的處理方法，其特征在于：根據對該對準信號的預期選取n值，當n為1時，該光刻機硅片對準信號所采用的非線性模型為

4.如權利要求1所述的光刻機硅片對準信號的處理方法，其特征在于：對該位置采樣數據和光強采樣數據的采集同步進行。

5.如權利要求1所述的光刻機硅片對準信號的處理方法，其特征在于：對該位置采樣數據和光強采樣數據進行實時累加處理的步驟中，根據實時累加公式獲取該累加系數，其中，o，p，q，r均表示指數，S表示累加和，N表示總采樣數，i表示采樣序號，x_i表示第i次采樣的位置采樣數據，I_i表示第i次采樣的光強采樣數據，k為常數。

6.如權利要求5所述的光刻機硅片對準信號的處理方法，其特征在于：該累加系數為∑₀₀₀₀、∑₁₀₀₀、∑₀₁₀₀、∑₀₀₁₀、∑₁₁₀₀、∑₁₀₁₀、∑₂₀₀₀、∑₂₁₀₀、∑₂₀₁₀、∑₀₂₀₀、∑₀₀₂₀、∑₀₁₁₀、∑₁₂₀₀、∑₁₁₁₀、∑₁₀₂₀、∑₂₂₀₀、∑₂₁₁₀、∑₂₀₂₀、∑₀₀₀₁、∑₁₀₀₁、∑₀₁₀₁、∑₀₀₁₁、∑₁₁₀₁、∑₁₀₁₁。

7.如權利要求5所述的光刻機硅片對準信號的處理方法，其特征在于：該包含暗電流、正弦系數和余弦系數的線性模型為I(x)＝DC+A₁cos(kx)+B₁sin(kx)，其中，DC為暗電流，A₁為余弦系數，B₁為正弦系數，x為位置采樣數據，I為光強采樣數據，k為系統設定值。

8.如權利要求7所述的光刻機硅片對準信號的處理方法，其特征在于：根據最小二乘法實時構建矩陣方程Ax＝B中的信號矩陣A和B，其中，

N為采樣總數，a、b、c、d、e為矩陣A的元素，λ、、η為矩陣B的元素。

9.如權利要求8所述的光刻機硅片對準信號的處理方法，其特征在于：該非線性模型的非線性參數初值