[發(fā)明專利]在制程中傳送薄片晶圓的方法及裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910055832.2 | 申請日: | 2009-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN101989560A | 公開(公告)日: | 2011-03-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 丁萬春;陸杰;范偉 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;芯電半導(dǎo)體(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛崢;王麗琴 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制程中 傳送 薄片 方法 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù),特別涉及一種在制程中傳送薄片晶圓的方法及裝置。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展,集成電路制造工藝已經(jīng)進入深亞微米時代,晶圓的尺寸和隔離晶圓結(jié)構(gòu)的隔離結(jié)構(gòu)亦隨之縮小,也就是晶圓的特征尺寸(CD)變小。相應(yīng)地,晶圓的厚度也變得越來越薄,稱為薄片晶圓。
制造薄片晶圓時,在整個制程過程中,常常需要將薄片晶圓從反應(yīng)室中傳送出來進行比如目測等步驟,由于薄片晶圓的CD尺寸變得越來越小,其結(jié)構(gòu)的密度越來越大,在傳送過程中會出現(xiàn)薄片晶圓自身的大范圍扭曲,進一步薄片晶圓之間會進行碰撞,造成了薄片晶圓的損傷。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種在制程中傳送薄片晶圓的方法,該方法能夠在不損傷薄片晶圓的前提下傳送薄片晶圓。
本發(fā)明還提供一種在制程中傳送薄片晶圓的裝置,該裝置能夠在不損傷薄片晶圓的前提下傳送薄片晶圓。
為達到上述目的,本發(fā)明實施例的技術(shù)方案具體是這樣實現(xiàn)的:
一種在制程中傳送薄片晶圓的方法,該方法包括:
將要傳送的薄片晶圓采用液體溶劑粘附在設(shè)置的傳送薄片晶圓上后進行傳送。
所述設(shè)置的傳送薄片晶圓上設(shè)置了多條溝槽。
所述要傳送的薄片晶圓底面粘附在設(shè)置的傳送薄片晶圓上。
所述液體溶劑為去離子水。
所述將要傳送的薄片晶圓采用液體溶劑粘附在設(shè)置的傳送薄片晶圓是在制程過程的開始時進行的。
一種在制程中傳送薄片晶圓的裝置,用于傳送要傳送的薄片晶圓,該裝置包括:用于采用液體溶劑粘附的傳送薄片晶圓。
所述該裝置用于粘附要傳送的薄片晶圓的底面。
所述傳送薄片晶圓上具有多條溝槽。
所述液體溶劑為去離子水。
由上述技術(shù)方案可見,本發(fā)明提供的方法及裝置,設(shè)置了一個傳送晶圓,該傳送晶圓用于承載要傳送的薄片晶圓,在承載時,采用如去離子(DI)水的液體溶劑將要傳送的薄片晶圓粘貼到該傳送晶圓上,由于要傳送的薄片晶圓和該傳送晶圓之間的表面張力,使得要傳送的薄片晶圓不會從該傳送薄片晶圓滑落。這樣,由于在傳送薄片晶圓時,有了承載物,從而使得要傳送的薄片晶圓不會發(fā)生大扭曲而出現(xiàn)損傷,且要傳送的薄片晶圓之間也不會由于碰撞出現(xiàn)損傷。因此,本發(fā)明在不損傷薄片晶圓的前提下傳送薄片晶圓。另外,為了在傳送后可以將要傳送的薄片晶圓易從該傳送晶圓脫離,本發(fā)明還在該傳送晶圓上設(shè)置了多個溝槽,該溝槽可以減小要傳送的薄片晶圓和該傳送晶圓之間的表面張力,在脫離時易于脫離而不損傷要傳送的薄片晶圓。
附圖說明
圖1為本發(fā)明提供的在制程中傳送晶圓的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明提供的傳送晶圓的俯視示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下參照附圖并舉實施例,對本發(fā)明作進一步詳細(xì)說明。
為了使得要傳送的薄片晶圓在傳送過程中不發(fā)生損傷,特別是對于薄片薄片晶圓,本發(fā)明設(shè)置了傳送晶圓,該傳送晶圓用于承載要傳送的薄片晶圓,在承載時,采用如DI水的液體溶劑將要傳送的薄片晶圓粘貼到該傳送晶圓上,由于要傳送的薄片晶圓和該傳送晶圓之間的表面張力,使得要傳送的薄片晶圓不會從該傳送薄片晶圓滑落。這樣,由于在傳送薄片晶圓時,有了承載物,從而使得要傳送的薄片晶圓不會發(fā)生大扭曲而出現(xiàn)損傷,且要傳送的薄片晶圓之間也不會由于碰撞出現(xiàn)損傷。
在本發(fā)明中,傳送晶圓就是經(jīng)過處理的硅晶圓、玻璃晶圓、或類似材質(zhì)的晶圓,在晶圓表面通過蝕刻或其他方法形成相應(yīng)的溝槽。
圖1為本發(fā)明提供的在制程中傳送晶圓的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,包括傳送晶圓101和要傳送的薄片晶圓102,在圖中,可以看出,將要傳送的薄片晶圓102采用如DI水的液體溶劑粘附在傳送晶圓101上。在這里,要傳送的薄片晶圓102就是制程過程中要制作的薄片晶圓。一般情況下,在制程開始時,就將要傳送的薄片晶圓102的底面粘附在所設(shè)置的傳送晶圓101上,便于在制程過程中的傳送。等到該制程過程完全結(jié)束后,再將要傳送的薄片晶圓102脫離傳送晶圓101。
這不會改變目前的制程,且不需要手工處理,也不會對要傳送的薄片晶圓102造成任何損傷。
進一步地,由于要傳送的薄片晶圓和該傳送晶圓之間的表面張力比較大,為了在整個制程結(jié)束后可以將要傳送的薄片晶圓易從該傳送晶圓脫離,本發(fā)明還在該傳送薄片晶圓上設(shè)置了多個溝槽,該溝槽可以減小要傳送的薄片晶圓和該傳送晶圓之間的表面張力,在脫離時易于脫離而不損傷要傳送的薄片晶圓。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





