[發明專利]一種TFT陣列結構及其制造方法

無效

• 申請號: 200910055777.7
• 申請日: 2009-07-31
• 公開（公告）號: CN101989015A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發明（設計）人: 趙本剛;袁劍峰;李雄平;馬小軍;時偉強
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及平板顯示技術，特別涉及一種薄膜晶體管(TFT)陣列結構及其制造方法。

背景技術

隨著對信息顯示的關注和對便攜式信息介質的需求的增加，對平板顯示技術的研究正在蓬勃展開。其中，薄膜晶體管液晶顯示(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)由于具有微功耗、低工作電壓、無X射線輻射、高清晰度、小體積等優點，目前廣泛應用于手機、掌上電腦(Personal?DigitalAssistant，PDA)等便攜式電子產品中。隨著顯示屏的尺寸、分辨率以及顯示顏色種類的不斷增加，實現低功耗和高亮度顯示是目前TFT-LCD的主要發展方向，這就對TFT陣列的結構和制造工藝提出了更高的要求。

降低功耗，提高顯示屏亮度，對顯示像素來講就是提高像素的開口率，優化像素存儲電容Cs，減小像素占據的顯示面積。因此，TFT陣列的設計需要兼顧提高開口率、優化存儲電容和保證顯示性能等多方面因素。為了提高開口率以滿足高分辨率液晶屏對顯示亮度的要求，人們提出了柵電極掃描線上存儲電容(Cs-on-gate)方式。柵電極掃描線上存儲電容是利用透明像素電極薄膜延伸至柵電極掃描線上方形成像素存儲電容。圖1為現有技術的采用此電容的TFT陣列結構的俯視圖。圖中，TFT陣列結構包括柵電極掃描線11和與之相交的數據線12，TFT?13形成于所述柵電極掃描線11與所述數據線12的交點處，透明像素電極薄膜14延伸至柵電極掃描線11上方，交疊的部分形成像素存儲電容15。這種方式雖然能較好地改善開口率，但是由于增大了柵電極掃描線和數據線與存儲電容間的交疊面積，一方面易于引起陣列中的點或線缺陷，另一方面增大了信號線上的寄生電容，加重了信號傳輸中的延遲現象。此外，存儲電容的下電極(即柵電極掃描線)為遮光材料，因此無法兼顧開口率的提高和存儲電容的優化這兩個方面。

發明內容

為解決上述問題，本發明的目的在于提供一種TFT陣列結構及其制造方法，可同時實現開口率的提高以及存儲電容的優化。

本發明提供一種TFT陣列結構，包括：

基板；

柵電極掃描線和與所述柵電極掃描線一體的柵電極，形成于所述基板上；

柵電極絕緣層，形成于所述柵電極掃描線和柵電極上；

半導體有源層，形成于所述柵電極絕緣層上；

數據線、漏電極、與所述數據線一體的源電極，形成于所述柵電極絕緣層上，其中，漏電極和源電極部分搭接到所述半導體有源層上；

公共電極，形成于所述柵電極絕緣層上；

鈍化層，形成于所述數據線、漏電極、源電極和公共電極上，并在所述漏電極上形成鈍化層過孔；

像素電極，形成于鈍化層上，并通過所述漏電極上的鈍化層過孔與所述漏電極相連；

其中，所述公共電極至少部分采用透明材料。

進一步的，所述公共電極包括第一公共電極和第二公共電極，其中，所述第一公共電極與所述像素電極相交疊以形成存儲電容，所述第二公共電極作為引線以連接位于同一行的或同一列的相鄰的所述第一公共電極。

進一步的，所述第一公共電極的面積比所述第二公共電極面積大。

進一步的，所述公共電極包括一段所述第一公共電極。

進一步的，所述公共電極包括至少兩段所述第一公共電極。

進一步的，第一公共電極采用透明材料，第二公共電極采用不透明材料。

進一步的，所述第二公共電極為雙層薄膜結構。

進一步的，所述數據線、漏電極和源電極為雙層薄膜結構。

進一步的，所述雙層薄膜結構由透明導電薄膜和不透明導電薄膜所構成。

進一步的，所述透明導電薄膜材料為氧化銦錫或氧化銦鋅，所述不透明導電薄膜材料為Cr、W、Ti、Ta、Mo、A1、Cu中的一種或至少兩種以上組合形成的合金。

進一步的，所述公共電極全部采用透明材料。

進一步的，所述透明材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。

進一步的，所述TFT陣列結構還包括歐姆接觸層，所述歐姆接觸層形成于所述半導體有源層之上，且位于所述源電極和所述漏電極之下。

進一步的，所述歐姆接觸層材料為摻雜非晶硅或摻雜多晶硅。

進一步的，所述TFT陣列結構還包括有機膜層，所述有機膜層形成于鈍化層之上，且位于所述像素電極之下。

進一步的，所述有機膜層材料為丙烯酸樹脂或聚酰亞胺。

進一步的，所述柵電極掃描線材料為Cr、W、Ti、Ta、Mo、A1、Cu中的一種或至少兩種以上組合形成的合金。