[發明專利]一種TFT陣列結構及其制造方法

無效

• 申請號: 200910055777.7
• 申請日: 2009-07-31
• 公開（公告）號: CN101989015A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發明（設計）人: 趙本剛;袁劍峰;李雄平;馬小軍;時偉強
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種TFT陣列結構，其特征在于，包括：

基板；

柵電極掃描線和與所述柵電極掃描線一體的柵電極，形成于所述基板上；

柵電極絕緣層，形成于所述柵電極掃描線和柵電極上；

半導體有源層，形成于所述柵電極絕緣層上；

數據線、漏電極、與所述數據線一體的源電極，形成于所述柵電極絕緣層上，其中，漏電極和源電極部分搭接到所述半導體有源層上；

公共電極，形成于所述柵電極絕緣層上；

鈍化層，形成于所述數據線、漏電極、源電極和公共電極上，并在所述漏電極上形成鈍化層過孔；

像素電極，形成于鈍化層上，并通過所述漏電極上的鈍化層過孔與所述漏電極相連；

其中，所述公共電極至少部分采用透明材料。

2.如權利要求1所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述公共電極包括第一公共電極和第二公共電極，其中，所述第一公共電極與所述像素電極相交疊以形成存儲電容，所述第二公共電極作為引線以連接位于同一行的或同一列的相鄰的所述第一公共電極。

3.如權利要求2所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述第一公共電極的面積比所述第二公共電極面積大。

4.如權利要求2中任一項所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述公共電極包括一段所述第一公共電極。

5.如權利要求2中任一項所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述公共電極包括至少兩段所述第一公共電極。

6.如權利要求2～5中任一項所述的TFT陣列結構，其特征在于，第一公共電極采用透明材料，第二公共電極采用不透明材料。

7.如權利要求6所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述第二公共電極為雙層薄膜結構。

8.如權利要求1所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述數據線、漏電極和源電極為雙層薄膜結構。

9.如權利要求7或8中任一項所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述雙層薄膜結構由透明導電薄膜和不透明導電薄膜所構成。

10.如權利要求9所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述透明導電薄膜材料為氧化銦錫或氧化銦鋅，所述不透明導電薄膜材料為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一種或至少兩種以上組合形成的合金。

11.如權利要求1所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述公共電極全部采用透明材料。

12.如權利要求1所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述透明材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。

13.如權利要求1所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述TFT陣列結構還包括歐姆接觸層，所述歐姆接觸層形成于所述半導體有源層之上，且位于所述源電極和所述漏電極之下。

14.如權利要求13所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述歐姆接觸層材料為摻雜非晶硅或摻雜多晶硅。

15.如權利要求1所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述TFT陣列結構還包括有機膜層，所述有機膜層形成于鈍化層之上，且位于所述像素電極之下。

16.如權利要求15所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述有機膜層材料為丙烯酸樹脂或聚酰亞胺。

17.如權利要求1所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述柵電極掃描線材料為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一種或至少兩種以上組合形成的合金。

18.如權利要求1所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述半導體有源層材料為非晶硅或多晶硅。

19.如權利要求1所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述像素電極的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。

20.如權利要求1所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述柵電極絕緣層材料為氧化物、氮化物或氧氮化合物。

21.如權利要求1所述的TFT陣列結構，其特征在于，所述鈍化層材料為氧化物、氮化物或氧氮化合物。