[發明專利]基于鋁酸鹽的金屬納米棒復合材料的電化學制備方法

無效

• 申請號: 200910055608.3
• 申請日: 2009-07-30
• 公開（公告）號: CN101629315A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發明（設計）人: 蔡偉民;丁大偉;龍明策
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C25D11/04
• 分類號: C25D11/04;C25D9/04
• 代理公司: 上海交達專利事務所
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1、一種基于鋁酸鹽的金屬納米棒復合材料的電化學制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步、將鋁片在480～520℃的空氣環境下中退火以消除內應力，然后進行去脂處理和電化學表面刨光處理；

第二步、將表面刨光后的鋁片置于稀磷酸中進行陽極氧化處理，制成氧化鋁模板；

第三步、以氧化鋁模板作為工作電極，石墨板作對電極，在電鍍液中進行電鍍處理；

第四步、將電鍍后的鋁片的氧化鋁模板一側進行腐蝕處理，然后經烘干制成鋁酸鹽/金屬復合納米棒陣列薄膜。

2、根據權利要求1所述的基于鋁酸鹽的金屬納米棒復合材料的電化學制備方法，其特征是，所述的鋁片的純度為99.99％。

3、根據權利要求1所述的基于鋁酸鹽的金屬納米棒復合材料的電化學制備方法，其特征是，所述的去脂處理是指：將退火后的鋁片浸入丙酮中并以60Hz下超聲10min。

4、根據權利要求1所述的基于鋁酸鹽的金屬納米棒復合材料的電化學制備方法，其特征是，所述的電化學表面拋光處理是指：將鋁片的一面用石蠟密封，另一面正對陰極，在體積比為8∶2的乙醇-高氯酸電解液中拋光至表面平整光亮，拋光電壓為18～20V，拋光溫度小于20℃。

5、根據權利要求1所述的基于鋁酸鹽的金屬納米棒復合材料的電化學制備方法，其特征是，所述的陽極氧化處理是指：將石墨板作為陰極，將鋁片作為陽極，控制反應溫度控制在18～21℃，陽極氧化時間為15～20min。

6、根據權利要求1所述的基于鋁酸鹽的金屬納米棒復合材料的電化學制備方法，其特征是，所述的電鍍液的組分及其摩爾濃度為：硫酸鹽或硝酸鹽0.15～0.2mol/L、無水硫酸鋁0.2～0.25mol/L和硼酸0.2～0.3mol/L，該電鍍液的pH值為3～5。

7、根據權利要求1所述的基于鋁酸鹽的金屬納米棒復合材料的電化學制備方法，其特征是，所述的硫酸鹽或硝酸鹽指：五水合硫酸銅晶體、硝酸鈷或硝酸鋅中的一種。

8、根據權利要求1所述的基于鋁酸鹽的金屬納米棒復合材料的電化學制備方法，其特征是，所述的電鍍處理是指在電壓為11～13V，電壓頻率50～220Hz，溫度為20～25℃的環境下進行電鍍。

9、根據權利要求1所述的基于鋁酸鹽的金屬納米棒復合材料的電化學制備方法，其特征是，所述的腐蝕處理是指：采用氫氧化鈉溶液在30℃下對氧化鋁模板腐蝕3～5分鐘，腐蝕后的膜板表面用去離子水沖洗。

10、根據權利要求1所述的基于鋁酸鹽的金屬納米棒復合材料的電化學制備方法，其特征是，所述的氫氧化鈉溶液的濃度為0.5mol/L。