[發(fā)明專利]晶圓測試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910055366.8
• 申請(qǐng)日: 2009-07-24
• 公開（公告）號(hào): CN101964316A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭強(qiáng);龔斌;劉云海
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓測試方法。

背景技術(shù)

目前，晶圓圖(Wafer?map)被廣泛的用于晶圓的CP(circuit?probe)測試中，根據(jù)晶圓圖獲取的CP測試結(jié)果，可用于數(shù)據(jù)分析(data?analysis)，芯片切割(Die?saw)，芯片拾取(Die?pickup)等，可以提高工作效率。

半導(dǎo)體制作技術(shù)領(lǐng)域，晶圓通常指制作集成電路所用的硅片，在晶圓上制作集成電路的過程中，為了工藝制作的方便，晶圓會(huì)被區(qū)分為若干個(gè)曝光場(Shot)，通常將Shot作為生產(chǎn)中的基本單位，比較典型的就是基本的曝光單位(photograph)，其在晶圓上是周期性重復(fù)排列的。每一個(gè)基本的Shot單元中，又包含有一個(gè)或者一個(gè)以上的芯片(Die)，在晶圓上的集成電路全部制作完成之后，晶圓會(huì)被切割成若干個(gè)芯片(Die)，每個(gè)Die中都包含一個(gè)獨(dú)立的能夠?qū)崿F(xiàn)預(yù)定功能的集成電路，其是進(jìn)行封裝和測試的基本單元。在對(duì)晶圓進(jìn)行封裝和測試過程中，要求Die在Wafer上是二維規(guī)則排列的，每個(gè)Die有一個(gè)座標(biāo)(位于晶圓圖的第幾排第幾列)，測試程序根據(jù)座標(biāo)(第幾排第幾列)以及間距(排與排之間的間距，列于列之間的間距)可以準(zhǔn)確地定位不同的Die。

常規(guī)產(chǎn)品的晶圓圖參考圖1所示，其中，10表示一個(gè)Shot單位，晶圓圖中的各個(gè)Shot是規(guī)則排列的，每一個(gè)Shot單元，又包括若干個(gè)Die芯片11。常規(guī)產(chǎn)品的每片晶圓只包括某一特定客戶的某一種特定芯片，每個(gè)Shot中各個(gè)Die是相同的，并且是均勻，規(guī)則排列的，因此，進(jìn)行測試的過程中，可以直接定位各個(gè)Die并對(duì)其進(jìn)行測試。本說明書所繪的所有附圖中，為了簡便，省略掉所有晶圓圖周邊集成電路制作不完整的部分Die，只表示出切割后電路結(jié)構(gòu)完整的部分Die所在的區(qū)域。

但是，對(duì)于某些特殊的晶圓產(chǎn)品，例如多項(xiàng)目晶圓產(chǎn)品(Multi-Project?Wafer，MPW)和工藝考核載體的晶圓產(chǎn)品(Technology?qualification?vehicle，TQV)，包含來自多個(gè)不同客戶、不同部門設(shè)計(jì)的不同目的die和測試結(jié)構(gòu)。這些die和測試結(jié)構(gòu)尺寸大小不一，這些die和測試結(jié)構(gòu)在Shot中的位置排列被統(tǒng)籌安排，以充分利用Shot的空間。這種安排通常造成某一特定客戶的多顆版圖設(shè)計(jì)完全相同的芯片在Shot中的排列是不規(guī)則的，造成測試，數(shù)據(jù)分析，切割，以及封裝過程中的困難。參考圖2所示，由于其他不同產(chǎn)品的存在，版圖設(shè)計(jì)完全相同的多個(gè)芯片，芯片21，芯片22和芯片23在一個(gè)Shot單元中的排列是不規(guī)則的。

對(duì)于類似的芯片排列不規(guī)則的晶圓產(chǎn)品，一個(gè)Shot單元中的Die并不相同，即使相同的Die在wafer上的分布也不滿足二維規(guī)則排列的要求，因此無法直接定位這些相同的Die并對(duì)其進(jìn)行測試，只有每次取其中一個(gè)分別測試，這就需要設(shè)定不同的測試程序，分次進(jìn)行測試，不僅降低了進(jìn)行測試的效率，而且無法產(chǎn)生統(tǒng)一的晶圓圖，切割、拾取過程無法根據(jù)測試結(jié)果自動(dòng)進(jìn)行，需要手工操作，很容易產(chǎn)生錯(cuò)誤。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種晶圓測試方法，對(duì)于芯片排列不規(guī)則的晶圓產(chǎn)品，通過制作虛擬晶圓圖，解決了現(xiàn)有的測試方法中需要對(duì)每個(gè)Die單獨(dú)設(shè)定測試程序，導(dǎo)致的測試效率低，并且容易出現(xiàn)錯(cuò)誤的問題。

本發(fā)明提供一種晶圓測試方法，包括：

提供含有一個(gè)以上Shot的晶圓，每個(gè)Shot中含有一個(gè)以上的真實(shí)Die；

將每個(gè)Shot分成一個(gè)以上虛擬Die，各個(gè)虛擬Die周期性重復(fù)，并且各個(gè)虛擬Die大小相同，真實(shí)Die與Die間對(duì)應(yīng)點(diǎn)之間在長度和寬度方向的間距分別是虛擬Die長或者寬的整數(shù)倍；

在所述一個(gè)以上真實(shí)Die中分別選取一代表點(diǎn)代表真實(shí)Die在Shot中的位置，所述各代表點(diǎn)在真實(shí)Die上的位置對(duì)應(yīng)，根據(jù)各代表點(diǎn)的位置將真實(shí)die投射至虛擬Die，并將所述虛擬Die標(biāo)記為1，其余虛擬Die標(biāo)記為0，標(biāo)記為1和0的所有虛擬Die組成虛擬晶圓圖；

根據(jù)所述的虛擬晶圓圖測試所述晶圓。

作為優(yōu)選方案，虛擬Die的長度采用所述方法獲取：步驟一：分別獲取真實(shí)Shot的長度、任意一真實(shí)Die與其它真實(shí)Die的對(duì)應(yīng)點(diǎn)在長度方向的間距，步驟二：對(duì)步驟一中獲取的所有值求最大公約數(shù)，即為虛擬Die的長度；

虛擬Die的寬度采用所述方法獲取：步驟一：分別獲取真實(shí)Shot的寬度、任意一真實(shí)Die與其它真實(shí)Die的對(duì)應(yīng)點(diǎn)在寬度方向的間距，步驟二：對(duì)步驟一中獲取的所有值求最大公約數(shù)，即為虛擬Die的寬度。