[發(fā)明專利]晶圓測試方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910055366.8 | 申請(qǐng)日: | 2009-07-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101964316A | 公開(公告)日: | 2011-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭強(qiáng);龔斌;劉云海 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 20120*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測試 方法 | ||
1.一種晶圓測試方法,其特征在于,包括:
提供含有一個(gè)以上曝光場Shot的晶圓,每個(gè)Shot中含有一個(gè)以上的真實(shí)芯片Die;
將每個(gè)Shot分成一個(gè)以上虛擬Die,各個(gè)虛擬Die周期性重復(fù),并且各個(gè)虛擬Die大小相同,真實(shí)Die與Die間對(duì)應(yīng)點(diǎn)之間在長度和寬度方向的間距分別是虛擬Die長或者寬的整數(shù)倍;
在所述一個(gè)以上真實(shí)Die中分別選取一代表點(diǎn)代表真實(shí)Die在Shot中的位置,所述各代表點(diǎn)在真實(shí)Die上的位置對(duì)應(yīng),根據(jù)各代表點(diǎn)的位置將真實(shí)die投射至虛擬Die,并將所述虛擬Die標(biāo)記為1,其余虛擬Die標(biāo)記為0,標(biāo)記為1和0的所有虛擬Die組成虛擬晶圓圖;
根據(jù)所述的虛擬晶圓圖測試所述晶圓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓測試方法,其特征在于,
虛擬Die的長度采用所述方法獲取:步驟一:分別獲取真實(shí)Shot的長度、任意一真實(shí)Die與其它真實(shí)Die的對(duì)應(yīng)點(diǎn)在長度方向的間距,步驟二:對(duì)步驟一中獲取的所有值求最大公約數(shù),即為虛擬Die的長度;
虛擬Die的寬度采用所述方法獲取:步驟一:分別獲取真實(shí)Shot的寬度、任意一真實(shí)Die與其它真實(shí)Die的對(duì)應(yīng)點(diǎn)在寬度方向的間距,步驟二:對(duì)步驟一中獲取的所有值求最大公約數(shù),即為虛擬Die的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓測試方法,其特征在于,
虛擬Die的長度采用所述方法獲取:步驟一:分別獲取真實(shí)Shot的長度、任意一真實(shí)Die與其它真實(shí)Die的對(duì)應(yīng)點(diǎn)在長度方向的間距,步驟二:對(duì)步驟一中獲取的所有值求最大公約數(shù);步驟三:獲取虛擬Die長度校正參數(shù),所述的校正參數(shù)根據(jù)真實(shí)Die中焊墊pad的尺寸以及晶圓測試設(shè)備探針與pad的接觸面積確定;步驟四:比較步驟二中算出的最大公約數(shù)和步驟三獲取的校正參數(shù),較大的值即為虛擬Die的長度;
虛擬Die的寬度采用所述方法獲取:步驟一:分別獲取真實(shí)Shot的寬度、任意一真實(shí)Die與其它真實(shí)Die的對(duì)應(yīng)點(diǎn)在寬度方向的間距,步驟二:對(duì)步驟一中獲取的所有值求最大公約數(shù),步驟三:獲取虛擬Die寬度校正參數(shù),所述的校正參數(shù)根據(jù)真實(shí)Die中焊墊pad的尺寸以及晶圓測試設(shè)備探針與pad的接觸面積確定;步驟四:比較步驟二中算出的最大公約數(shù)和步驟三獲取的校正參數(shù),較大的值即為虛擬Die的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述晶圓測試方法,其特征在于,校正參數(shù)的在長度方向的值等于:K*(pad在長度方向的截面長度-探針在長度方向與pad接觸面的截面長度)/2;校正參數(shù)的在寬度方向的值等于:k*(pad在寬度方向的截面長度-探針在寬度方向與pad接觸面的截面長度)/2,其中K大于0小于等于1,為安全系數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓測試方法,其特征在于,根據(jù)所述的虛擬晶圓圖測試所述晶圓的步驟中只需測試所述標(biāo)記為1的虛擬Die。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓測試方法,其特征在于,還包括如下步驟:根據(jù)所述的測試結(jié)果分析所述測試數(shù)據(jù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓測試方法,其特征在于,還包括如下步驟:根據(jù)所述的虛擬晶圓圖以及測試結(jié)果切割所述晶圓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓測試方法,其特征在于,還包括如下步驟:拾取所述切割后的晶圓。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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