[發明專利]一種形成淺溝槽隔離結構的方法

無效

• 申請號: 200910055195.9
• 申請日: 2009-07-22
• 公開（公告）號: CN101656226A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發明（設計）人: 易亮;巨曉華;邵麗;孫凌;張美麗;令海陽;劉龍平;陳愛軍;葉滋婧;黃慶豐;楊岳華
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/316
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王 潔

1.一種形成淺溝槽隔離結構的方法，包括以下步驟：

(1)提供半導體襯底，在所述半導體襯底表面依次形成墊氧化層、多晶硅層和腐蝕阻擋層；

(2)以光刻膠作掩膜，依次構圖刻蝕所述腐蝕阻擋層、多晶硅層和墊氧化層至所述半導體襯底，并以所述圖案化后的墊氧化層、多晶硅層和腐蝕阻擋層為掩膜進行刻蝕，形成位于所述半導體襯底中的溝槽；

(3)高溫氧化，在所述溝槽的表面形成內襯層，同時在多晶硅層側壁橫向氧化形成一氧化區域，并在所述半導體襯底表面淀積隔離氧化層，填滿所述溝槽并覆蓋所述內襯層和腐蝕阻擋層后，平坦化所述隔離氧化層至曝露出腐蝕阻擋層；

(4)依次去除所述半導體襯底上的腐蝕阻擋層、多晶硅層和墊氧化層。

2.根據權利要求1所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述墊氧化層材料為熱氧化生長的二氧化硅。

3.根據權利要求1所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述腐蝕阻擋層材料為化學氣相淀積沉積的氮化硅。

4.根據權利要求2或3所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述腐蝕阻擋層、多晶硅層和墊氧化層的構圖刻蝕采用混合氣體反應離子束刻蝕實現。

5.根據權利要求2或3所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述腐蝕阻擋層、多晶硅層和墊氧化層的構圖刻蝕采用相應腐蝕溶液進行濕法腐蝕實現。

6.根據權利要求1所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述內襯層為單層二氧化硅層。

7.根據權利要求1所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述內襯層為多層，其多層結構由二氧化硅/氮化硅、二氧化硅/氮氧化硅或二氧化硅/氮化硅/氮氧化硅堆棧形成，且所述二氧化硅層位于內側。

8.根據權利要求1所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述溝槽的形成采用干法刻蝕方法。

9.根據權利要求1所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述隔離氧化層為利用高密度電漿化學氣相淀積法所沉積的二氧化硅。

10.根據權利要求1所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述多晶硅層的側壁橫向氧化形成的氧化區域，且所述氧化區域與所述墊氧化層和所述隔離氧化層均相鄰接觸。

11.根據權利要求2所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述墊氧化層的去除采用濕法腐蝕方法。

12.根據權利要求3所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述腐蝕阻擋層的去除采用濕法腐蝕方法。

13.根據權利要求1所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述多晶硅層的去除采用濕法腐蝕方法。

14.根據權利要求2或11所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述墊氧化層的厚度為50埃～150埃。

15.根據權利要求3或12所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述腐蝕阻擋層的厚度為200埃～2000埃。

16.根據權利要求6或7所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述內襯層的厚度為30埃至200埃。

17.根據權利要求1或10所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其特征在于，所述多晶硅層的厚度為200埃至500埃。