[發(fā)明專利]熱釋光或光釋光劑量學(xué)晶體及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910054968.1 | 申請日： | 2009-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN101603204A | 公開（公告）日： | 2009-12-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李紅軍;楊新波;徐軍;蘇良碧 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B29/28 | 分類號： | C30B29/28;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所 | 代理人： | 許亦琳;余明偉 |
| 地址： | 200050上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 熱釋光 光釋光 劑量 晶體 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于激光晶體領(lǐng)域，具體涉及一種熱釋光或光釋光劑量學(xué)晶體及其制備方法。
背景技術(shù)
材料的熱釋光(Thermoluminescence，簡稱TL)是指材料在吸收輻射能之后的熱致發(fā)光。 20世紀(jì)50年代，美國威斯康星大學(xué)的Daniels首次將材料的熱釋光特性用于輻射劑量的測 量(F.Daniels，Thermoluminescence?dosimetry?seminar?on?the?effects?of?ionizing?radiations， Evans?Signal?Corps?Engineering?Laboratories，Belmar，N.J.1953)。到目前為止，投入使用的熱 釋光劑量學(xué)材料主要有LiF系列(LiF:Mg，Ti和LiF:Mg，Cu，P)、BeO系列(BeO:Li，BeO:Na， BeO:Al)、CaSO4系列(CaSO4:Mn，CaSO4:Tm，CaSO4:Dy)、CaF2系列(CaF2:Mn，CaF2:Dy， CaF2:Tm)和Li2B4O7系列(Li2B4O7:Mn，Li2B4O7:Cu，Ag)。
然而，上述材料在熱釋光劑量學(xué)上都或多或少存在不足，不能滿足科研和商業(yè)的需要。 例如，氟化鋰系列目前應(yīng)用最為廣泛，熱致發(fā)光性能優(yōu)良，但其主要缺點(diǎn)是材料以粉末形 式存在，不便于加工和退火；硫酸鈣系列的熱致發(fā)光靈敏度高，但是主發(fā)光峰溫度偏低， 熱致發(fā)光信號衰退嚴(yán)重；氟化鈣系列的熱致發(fā)光靈敏度較高，但是光致衰退十分嚴(yán)重；硼 酸鋰系列的熱致發(fā)光峰單一且溫度適中(200℃)，缺點(diǎn)是儲存熱致發(fā)光信號能力較差，靈敏 度不高。
光釋光(Optically?Stimulated?Luminescence，簡稱OSL)是指材料吸收了輻射能之后的 光致發(fā)光，前蘇聯(lián)的Romanovsky最早將材料的光釋光特性用于輻射劑量的測量(V.V. Romanovsky?et?al.Conference?of?the?Academy?of?Sciences?of?the?USSR?on?the?Peaceful?Uses?of Atomic?Energy，1955，MOSCOW)。與熱釋光相比，光釋光劑量計(jì)使用過程中不用加熱，可 以有效避免發(fā)光中心的熱猝滅，具有靈敏度高，使用相對簡單的優(yōu)點(diǎn)。然而，光釋光劑量 學(xué)長期沒有得到重視和發(fā)展，主要原因是缺少對輻射敏感、光釋光效率高、有效原子數(shù)較 小、光衰退性能好的光釋光材料。
綜上所述，目前使用的熱釋光或光釋光材料已經(jīng)嚴(yán)重阻礙了熱釋光或光釋光劑量學(xué)的 發(fā)展。因此，開發(fā)綜合性能優(yōu)良的熱釋光或光釋光材料已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員所亟待解決 的問題。
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