[發(fā)明專利]熱釋光或光釋光劑量學(xué)晶體及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910054968.1 | 申請日： | 2009-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN101603204A | 公開（公告）日： | 2009-12-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李紅軍;楊新波;徐軍;蘇良碧 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B29/28 | 分類號： | C30B29/28;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所 | 代理人： | 許亦琳;余明偉 |
| 地址： | 200050上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 熱釋光 光釋光 劑量 晶體 及其 制備 方法 | ||
1.一種熱釋光或光釋光劑量學(xué)摻碳釔鋁石榴石單晶，其特征在于，所述摻碳釔鋁石榴石晶體中碳的摻雜量為晶體總質(zhì)量的2000～8000ppm。
2.權(quán)利要求1中所述熱釋光或光釋光劑量學(xué)摻碳釔鋁石榴石單晶的制備方法，包括如下步驟：按配比將原料經(jīng)混料、研磨和成型工藝制得晶體生長原料，然后采用導(dǎo)向溫梯法或下降法在還原氣氛中生長制得；
所述導(dǎo)向溫梯法生長晶體的具體步驟為：在坩堝中放入籽晶，將晶體生長原料放入坩堝內(nèi)；將坩堝裝入晶體爐中，抽真空至爐壓＜5×10-3pa，持續(xù)升溫至2253～2283K，待晶體生長原料熔化后恒溫0.5～2h，然后以1～5K/h的速率降溫生長晶體；
所述下降法生長晶體的具體步驟為：在坩堝中放入籽晶，將晶體生長原料放入坩堝內(nèi)；將坩堝裝入晶體爐中，抽真空至爐壓＜5×10-3Pa，持續(xù)升溫至2253～2283K，待原料熔化后恒溫0.5～2h，然后以0.5～3mm/h的速率下降坩堝生長晶體。
3.如權(quán)利要求2中所述熱釋光或光釋光劑量學(xué)摻碳釔鋁石榴石單晶的制備方法，其特征在于，所述原料包括含Al元素原料、含Y元素原料和含C元素原料。
4.如權(quán)利要求3中所述熱釋光或光釋光劑量學(xué)摻碳釔鋁石榴石單晶的制備方法，其特征在于，所述含Al元素原料為α-A12O3；所述含Y元素原料為Y2O3；所述含C元素原料選自碳粉或石墨。
5.如權(quán)利要求2中所述熱釋光或光釋光劑量學(xué)摻碳釔鋁石榴石單晶的制備方法，其特征在于，所述還原氣氛為氫氣氣氛。
6.權(quán)利要求1中所述熱釋光或光釋光劑量學(xué)摻碳釔鋁石榴石單晶在熱釋光或光釋光劑量學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用。?
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