[發明專利]提高MOS晶體管載流子遷移率的方法

有效

• 申請號: 200910054948.4
• 申請日: 2009-07-16
• 公開（公告）號: CN101958249A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 唐兆云;何有豐
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;C23C16/44;C23C16/40
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種提高MOS晶體管載流子遷移率的方法，其特征在于，包括步驟：

提供半導體基底，所述半導體基底上具有柵極；

以TEOS和O₂為原料，利用LPCVD的方法形成覆蓋所述柵極和所述柵極兩側的半導體基底上表面的氧化物層，當所述半導體基底將形成NMOS晶體管時，則其中O₂和TEOS的流量比小于7∶100，當所述半導體基底將形成PMOS晶體管時，則其中O₂和TEOS的流量比大于7∶100；

刻蝕所述氧化物層，形成柵極的側壁結構；

向所述柵極及其所述側壁結構兩側的半導體基底中摻雜雜質離子。

2.根據權利要求1所述的提高MOS晶體管載流子遷移率的方法，其特征在于，形成所述氧化物層的步驟中，當所述半導體基底將形成NMOS晶體管時，其中TEOS的流量為200sccm，O₂的流量為5sccm至10sccm。

3.根據權利要求2所述的提高MOS晶體管載流子遷移率的方法，其特征在于，形成所述氧化物層的步驟中，當所述半導體基底將形成NMOS晶體管時，反應腔室應力大于1.88torr。

4.根據權利要求3所述的提高MOS晶體管載流子遷移率的方法，其特征在于，形成所述氧化物層的步驟中，當所述半導體基底將形成NMOS晶體管時，反應腔室應力為1.9torr至2.2torr。

5.根據權利要求4所述的提高MOS晶體管載流子遷移率的方法，其特征在于，形成所述氧化物層的步驟中，當所述半導體基底將形成NMOS晶體管時，腔室內溫度為550℃至700℃。

6.根據權利要求1所述的提高MOS晶體管載流子遷移率的方法，其特征在于，所述形成氧化物層的步驟中，當所述半導體基底將形成PMOS晶體管時，其中TEOS的流量為200sccm，O₂的流量為15sccm至20sccm。

7.根據權利要求6所述的提高MOS晶體管載流子遷移率的方法，其特征在于，形成所述氧化物層的步驟中，當所述半導體基底將形成PMOS晶體管時，反應腔室應力小于1.88torr。

8.根據權利要求7所述的提高MOS晶體管載流子遷移率的方法，其特征在于，形成所述氧化物層的步驟中，當所述半導體基底將形成PMOS晶體管時，反應腔室應力為1.6torr至1.8torr。

9.根據權利要求8所述的提高MOS晶體管載流子遷移率的方法，其特征在于，形成所述氧化物層的步驟中，當所述半導體基底將形成PMOS晶體管時，腔室內溫度為550℃至700℃。