[發明專利]浮柵制造方法

無效

• 申請號: 200910053017.2
• 申請日: 2009-06-12
• 公開（公告）號: CN101924025A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: 史運澤;宋化龍;沈憶華;盧莊鴻
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/8247
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種浮柵制造方法，包括：

在半導體襯底的有源區表面上形成墊介質層以及氮化層；

在半導體襯底的無源區內形成淺溝槽隔離，用于隔離相鄰的有源區；

去除所述氮化層并清洗所述墊介質層，用于去除表面污染物；

對所述墊介質層進行高溫退火處理；

通過所述墊介質層，在半導體襯底內進行離子注入，在半導體襯底內形成離子阱；

去除所述墊介質層；

在淺溝槽隔離兩側的有源區表面上形成浮柵氧化層；

在所述浮柵氧化層上形成浮柵。

2.如權利要求1所述浮柵制造方法，其特征在于，所述高溫退火的溫度范圍為900～1000攝氏度，時間為30～120秒。

3.如權利要求1所述浮柵制造方法，其特征在于，所述墊介質層為氧化物、氮化物、氧化物與氮化物的組合。

4.如權利要求3所述浮柵制造方法，其特征在于，所述氧化物為二氧化硅。

5.如權利要求1所述浮柵制造方法，其特征在于，所述浮柵為多晶硅柵極或金屬柵極。

6.如權利要求1所述浮柵制造方法，其特征在于，所述氮化層為氮化硅。