[發明專利]NROM器件的制作方法有效
| 申請號： | 200910052646.3 | 申請日： | 2009-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN101908507A | 公開（公告）日： | 2010-12-08 |
| 發明（設計）人： | 趙敏局;司偉;吳俊徐;李潤領 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247;H01L21/76;H01L21/265;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | nrom 器件 制作方法 | ||
1.一種NROM器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底包含有源區和位于有源區之間的隔離區，其中有源區形成有字線；
在有源區的字線之間的半導體襯底內進行銦離子注入后，進行退火工藝；
在半導體襯底上形成第一氧化層，且第一氧化層包圍字線；
向隔離區及隔離區與有源區的交界處注入離子；
在半導體襯底上形成第二氧化層，且第二氧化層包圍字線；
刻蝕第二氧化層和第一氧化層，在字線兩側形成側墻。
2.根據權利要求1所述NROM器件的制作方法，其特征在于，向隔離區及隔離區與有源區交界處注入的離子為P型離子。
3.根據權利要求2所述NROM器件的制作方法，其特征在于，所述P型離子為硼離子，注入劑量為1.0E11/cm2～1.0E14/cm2，能量是10KeV～100KeV。
4.根據權利要求2所述NROM器件的制作方法，其特征在于，所述P型離子為銦離子，注入劑量是1.0E11/cm2～1.0E14/cm2，能量是50KeV～500KeV。
5.根據權利要求1所述NROM器件的制作方法，其特征在于，所述第一氧化層的材料是氧化硅。
6.根據權利要求5所述NROM器件的制作方法，其特征在于，所述第一氧化層的厚度為10埃～200埃。
7.根據權利要求1所述NROM器件的制作方法，其特征在于，所述第二氧化層的材料是氧化硅或氮化硅。
8.根據權利要求7所述NROM器件的制作方法，其特征在于，所述第二氧化層的厚度為500埃～2000埃。
9.根據權利要求5或7所述NROM器件的制作方法，其特征在于，形成第一氧化層和第二氧化層的方法是熱氧化法或化學氣相沉積法。
10.根據權利要求7所述NROM器件的制作方法，其特征在于，在進行銦離子注入之前還包括步驟：對字線表面進行氧化，形成氧化硅層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
