[發明專利]在半導體基底上形成氮化鈦層的方法有效
| 申請號： | 200910051562.8 | 申請日： | 2009-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN101556926A | 公開（公告）日： | 2009-10-14 |
| 發明（設計）人： | 孔令芬;李春雷 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/44;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人： | 鄭 瑋 |
| 地址： | 201203上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 基底 形成 氮化 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在半導體基底上形成氮化鈦層的方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一半導體基底；
對所述半導體基底進行預加熱，所述預加熱的溫度為100℃至500℃，所述 預加熱是在與氮化鈦層反應腔相鄰的另一反應腔內進行的；
將所述半導體基底移入氮化鈦層反應腔，將所述氮化鈦層反應腔抽真空， 向所述氮化鈦層反應腔內通入氬氣和氮氣，通過濺射在所述半導體基底上形成 氮化鈦層。
2.根據權利要求1所述的在半導體基底上形成氮化鈦層的方法，其特征在 于，所述反應腔抽真空，其壓強為2.0×10-4Pa至5.0×10-4Pa。
3.根據權利要求1所述的在半導體基底上形成氮化鈦層的方法，其特征在 于，所述氬氣的流量為15sccm至60sccm。
4.根據權利要求1所述的在半導體基底上形成氮化鈦層的方法，其特征在 于，所述氮氣的流量為50sccm至150sccm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
