[發明專利]半導體制造方法

無效

• 申請號: 200910051558.1
• 申請日: 2009-05-19
• 公開（公告）號: CN101894752A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 龐軍玲;李紹彬;吳佳特
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283;H01L21/316;H01L21/8234;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

在控制柵側壁形成第一氧化層；

在第一氧化層兩側形成絕緣層；

在絕緣層兩側形成第二氧化層；

刻蝕去除第二氧化層；

在絕緣層兩側的半導體基體上以及控制柵上形成自對準硅化物。

2.如權利要求1所述的半導體制造方法，其特征在于，在控制柵側壁形成第一氧化層之前的步驟包括：

提供一半導體基體；

在半導體基體有源區之間的隔離區內刻蝕形成淺溝道隔離；

在半導體基體有源區的表面上形成控制柵絕緣層；

在所述控制柵絕緣層上形成控制柵；

在控制柵絕緣層以及控制柵兩側的半導體基體內形成源區和漏區。

3.如權利要求1所述的半導體制造方法，其特征在于：所述絕緣層為氮化物。

4.如權利要求3所述的半導體制造方法，其特征在于：所述氮化物為氮化硅。

5.如權利要求1所述的半導體制造方法，其特征在于：所述第一氧化層以及第二氧化層為硅氧化物。

6.如權利要求5所述的半導體制造方法，其特征在于：所述硅氧化物為二氧化硅。