[發(fā)明專利]互連組件、其制造方法及其修復(fù)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910051400.4 | 申請(qǐng)日: | 2009-05-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101887881A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-11-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃賢軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/522 | 分類號(hào): | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 李麗 |
| 地址: | 201201 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 互連 組件 制造 方法 及其 修復(fù) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種互連組件、其制造方法及其修復(fù)方法。
背景技術(shù)
通常半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)為多層結(jié)構(gòu),有時(shí)不同層需要進(jìn)行電性連接,因此在半導(dǎo)體器件的制造中,為了將不同層的導(dǎo)電層進(jìn)行電性連接,需要在各導(dǎo)電層上形成連通的接觸孔,然后形成導(dǎo)電互連層,所述導(dǎo)電互連層覆蓋所述接觸孔,從而使不同層的導(dǎo)電層電性連接,所述半導(dǎo)體器件中進(jìn)行電性連接的結(jié)構(gòu)叫做互連組件。
圖1a是一種現(xiàn)有的互連組件的示意圖,圖1b是圖1a沿A-A’方向的剖面示意圖。參考圖1a和圖1b,所述互連組件包括位于所述基底10第一區(qū)域的第一導(dǎo)電層11、位于所述基底10第二區(qū)域的第二導(dǎo)電層12,和位于第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12之間的第一絕緣層13,其中第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層11不位于同一層。如圖1b所示,通常在制造過(guò)程中先在基底的第一區(qū)域形成第一導(dǎo)電層11;接著在第一導(dǎo)電層11的上一層形成第一絕緣層13;接著在半導(dǎo)體器件的第二區(qū)域?qū)?yīng)的第一絕緣層13上形成第二導(dǎo)電層12;接著在第二導(dǎo)電層12以及第一絕緣層13上形成第二絕緣層14。為了使第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12電性連接,接著將對(duì)第一導(dǎo)電層11上的第一絕緣層13和第二絕緣層14刻蝕形成第一接觸孔15a;接著對(duì)第二導(dǎo)電層12上的第二絕緣層14進(jìn)行刻蝕,形成第二接觸孔15b;接著形成覆蓋第一接觸孔15a和第二接觸孔15b及第二絕緣層14的導(dǎo)電互連層16,例如導(dǎo)電互連層16的材料可以為金屬材料或者ITO(氧化銦錫)材料,這樣就形成了由第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12和導(dǎo)電互連層16構(gòu)成的所述互連組件。
上述互連組件受到制造工藝的影響,例如存在以下幾種情況:
第一,如果第一導(dǎo)電層11的對(duì)應(yīng)接觸孔15a或第二導(dǎo)電層12的對(duì)應(yīng)接觸孔15b的位置被腐蝕;或者在形成接觸孔15a和15b的過(guò)程中,對(duì)第一導(dǎo)電層11或第二導(dǎo)電層12刻蝕時(shí)出現(xiàn)過(guò)刻蝕,都可能使得第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12與導(dǎo)電互連層16之間斷路。
第二,如果導(dǎo)電互連層16例如ITO在填充接觸孔的過(guò)程中由于成膜質(zhì)量不好發(fā)生膜裂,使得導(dǎo)電互連層16之間產(chǎn)生斷裂,也可能使得第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12斷路。
第三,如果在對(duì)第一導(dǎo)電層11或第二導(dǎo)電層12刻蝕時(shí),刻蝕后的邊緣的角度沒(méi)有達(dá)到要求,從而可能使得在接觸孔形成導(dǎo)電互連層16的時(shí)候覆蓋性不好,從而也可能使得第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12斷路。
第四,如果在后序的制造工藝中,產(chǎn)生的靜電不能很好的被釋放,也可能使得接觸孔15a和15b位置的導(dǎo)電互連層16被靜電燒毀或者擊傷,從而使得第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12斷路。
因此采用上述互連組件的半導(dǎo)體器件容易出現(xiàn)第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12之間發(fā)生斷路的現(xiàn)象,而且在出現(xiàn)斷路之后往往很難進(jìn)行修復(fù),或者在修復(fù)的過(guò)程對(duì)互連組件造成損壞。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種互連組件、其制造方法及其修復(fù)方法,解決了互連組件出現(xiàn)斷路時(shí)較難修復(fù)或在修復(fù)的過(guò)程對(duì)互連組件造成損壞的問(wèn)題。本發(fā)明提供了一種互連組件,包括:基底;第一導(dǎo)電層,位于所述基底的第一區(qū)域上表面;第二導(dǎo)電層,位于所述基底的第二區(qū)域上表面;絕緣層,覆蓋所述第一導(dǎo)電層;互連層,通過(guò)第一導(dǎo)電層上的接觸孔和第二導(dǎo)電層上的接觸孔導(dǎo)電互連所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層;還包括修復(fù)結(jié)構(gòu),所述修復(fù)結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電層,位于所述第一導(dǎo)電層和/或第二導(dǎo)電層上方。
優(yōu)選的,所述修復(fù)結(jié)構(gòu)為所述互連層在所述第一導(dǎo)電層上方的延伸部分和/或所述互連層在所述第二導(dǎo)電層上方的延伸部分,并且所述互連層在所述第一導(dǎo)電層上方的延伸部分和所述互連層在所述第二導(dǎo)電層上方的延伸部分導(dǎo)電相連。
優(yōu)選的,所述互連層沿第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層方向延伸,所述互連層為矩形結(jié)構(gòu)。
相應(yīng)的,本發(fā)明還提供了一種互連組件,包括:基底;第一導(dǎo)電層,位于所述基底的第一區(qū)域上表面;第二導(dǎo)電層,位于所述基底的第二區(qū)域上表面;絕緣層,覆蓋所述第一導(dǎo)電層;互連層,通過(guò)第一導(dǎo)電層上的接觸孔和第二導(dǎo)電層上的接觸孔導(dǎo)電互連所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層;還包括修復(fù)結(jié)構(gòu),所述修復(fù)結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電材料,位于所述基底的第三區(qū)域上,所述修復(fù)結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電層向第三區(qū)域的延伸部分和第二導(dǎo)電層向第三區(qū)域的延伸部分,所述第一導(dǎo)電層向第三區(qū)域的延伸部分和第二導(dǎo)電層向第三區(qū)域的延伸部分在第三區(qū)域?yàn)榀B層結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選的,所述疊層結(jié)構(gòu)中的第一導(dǎo)電層和/或第二導(dǎo)電層中具有通孔,所述通孔將所述疊層結(jié)構(gòu)中的第一導(dǎo)電層和/或第二導(dǎo)電層暴露。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海天馬微電子有限公司,未經(jīng)上海天馬微電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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