[發(fā)明專利]互連組件、其制造方法及其修復方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910051400.4 | 申請日: | 2009-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN101887881A | 公開(公告)日: | 2010-11-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃賢軍 | 申請(專利權(quán))人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/522 | 分類號: | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 李麗 |
| 地址: | 201201 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 互連 組件 制造 方法 及其 修復 | ||
1.一種互連組件,包括:
基底;
第一導電層,位于所述基底的第一區(qū)域上表面;
第二導電層,位于所述基底的第二區(qū)域上表面;
絕緣層,覆蓋所述第一導電層;
互連層,通過第一導電層上的接觸孔和第二導電層上的接觸孔導電互連所述第一導電層和所述第二導電層;
其特征在于,還包括修復結(jié)構(gòu),所述修復結(jié)構(gòu)為導電層,位于所述第一導電層和/或第二導電層上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連組件,其特征在于,所述修復結(jié)構(gòu)為所述互連層在所述第一導電層上方的延伸部分和/或所述互連層在所述第二導電層上方的延伸部分,并且所述互連層在所述第一導電層上方的延伸部分和所述互連層在所述第二導電層上方的延伸部分導電相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的互連組件,其特征在于,所述互連層沿第一導電層和第二導電層方向延伸,所述互連層為矩形結(jié)構(gòu)。
4.一種互連組件,包括:
基底;
第一導電層,位于所述基底的第一區(qū)域上表面;
第二導電層,位于所述基底的第二區(qū)域上表面;
絕緣層,覆蓋所述第一導電層;
互連層,通過第一導電層上的接觸孔和第二導電層上的接觸孔導電互連所述第一導電層和所述第二導電層;
其特征在于,還包括修復結(jié)構(gòu),所述修復結(jié)構(gòu)為導電材料,位于所述基底的第三區(qū)域上,所述修復結(jié)構(gòu)包括第一導電層向第三區(qū)域的延伸部分和第二導電層向第三區(qū)域的延伸部分,所述第一導電層向第三區(qū)域的延伸部分和第二導電層向第三區(qū)域的延伸部分在第三區(qū)域為疊層結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的互連組件,其特征在于,所述疊層結(jié)構(gòu)中的第一導電層和/或第二導電層中具有通孔,所述通孔將所述疊層結(jié)構(gòu)中的第一導電層和/或第二導電層暴露。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的互連組件,其特征在于,所述第一導電層延伸到所述第二導電層上的接觸孔位置,所述延伸到第二導電層上的接觸孔位置的第一導電層和所述第二導電層構(gòu)成修復結(jié)構(gòu)的一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的互連組件,其特征在于,所述第二導電層延伸到所述第一導電層上的接觸孔位置,所述延伸到第一導電層上的接觸孔位置的第二導電層和所述第一導電層構(gòu)成修復結(jié)構(gòu)的一部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的互連組件,其特征在于,所述通孔形狀為圓形、方形或橢圓形。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的互連組件,其特征在于,所述修復結(jié)構(gòu)還包括所述互連層在所述第一導電層上方的延伸部分和/或所述互連層在所述第二導電層上方的延伸部分,并且所述互連層在所述第一導電層上方的延伸部分和所述互連層在所述第二導電層上方的延伸部分導電相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的互連組件,其特征在于,所述互連層沿第一導電層和第二導電層方向延伸,所述互連層為矩形結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的互連組件的制造方法,其特征在于,包括步驟:
提供基底;
在所述基底的第一區(qū)域上形成第一導電層,對所述第一導電層進行刻蝕以形成所需圖案,并形成第一導電層的絕緣層;
在所述基底的第二區(qū)域上形成第二導電層,對所述第二導電層進行刻蝕以形成所需圖案,并形成第二導電層的絕緣層;
在所述第一導電層上的絕緣層中形成第一接觸孔,在所述第二導電層上的絕緣層中形成第二接觸孔;
在第一接觸孔和第二接觸孔中形成互連層,所述互連層填充在所述第一接觸孔和第二接觸孔中,并且使得第一導電層和第二導電層導電互連。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法,其特征在于,還包括步驟:對修復結(jié)構(gòu)進行刻蝕,形成通孔,所述通孔暴露所述修復結(jié)構(gòu)的第一導電層和/或第二導電層。
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