[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝體的堆疊構(gòu)造

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910051149.1
• 申請日: 2009-05-12
• 公開（公告）號: CN101887885A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許宏達(dá);葉昶麟;趙健
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光封裝測試(上海)有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/13;H01L23/488;H01L23/48;H01L23/34
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種半導(dǎo)體封裝體的堆疊構(gòu)造，其特征在于：所述堆疊構(gòu)造包含：

一第一封裝體，具有一第一電路板、至少一第一芯片及至少一第一封裝膠體；所述第一電路板設(shè)有至少一凹穴、數(shù)個(gè)轉(zhuǎn)接焊墊及數(shù)個(gè)輸出端；所述凹穴容置所述第一芯片，所述第一封裝膠體填滿所述凹穴并包覆所述第一芯片；所述轉(zhuǎn)接焊墊形成于所述第一電路板的上表面未設(shè)置有凹穴的位置；及所述輸出端設(shè)于所述第一電路板的下表面；

數(shù)個(gè)轉(zhuǎn)接元件；及

一第二封裝體，所述第二封裝體的下表面通過所述轉(zhuǎn)接元件電性連接至所述第一封裝體的第一電路板的轉(zhuǎn)接焊墊。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體的堆疊構(gòu)造，其特征在于：所述第一電路板的上表面在所述凹穴的周圍設(shè)有數(shù)個(gè)打線焊墊，所述第一芯片通過數(shù)條導(dǎo)線電性連接所述打線焊墊。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體的堆疊構(gòu)造，其特征在于：所述第一芯片的上表面的高度等于或小于所述第一電路板的上表面的高度。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體的堆疊構(gòu)造，其特征在于：所述第一電路板的凹穴的內(nèi)壁面設(shè)有一散熱鍍層。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體的堆疊構(gòu)造，其特征在于：所述第一電路板的凹穴的內(nèi)底面設(shè)有數(shù)個(gè)倒裝芯片焊墊，所述第一芯片通過數(shù)個(gè)凸塊電性連接所述倒裝芯片焊墊。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體的堆疊構(gòu)造，其特征在于：所述第一電路板的凹穴的內(nèi)壁面形成一階狀部，所述階狀部上設(shè)有數(shù)個(gè)打線焊墊，所述第一芯片通過數(shù)條導(dǎo)線電性連接所述階狀部上的打線焊墊。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體的堆疊構(gòu)造，其特征在于：所述轉(zhuǎn)接元件為轉(zhuǎn)接金屬球。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體的堆疊構(gòu)造，其特征在于：所述第一封裝體另包含一散熱片，所述散熱片包埋于所述第一封裝膠體內(nèi)，所述散熱片的一端接觸所述第一芯片，及所述散熱片的另一端露出所述第一封裝膠體外。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體的堆疊構(gòu)造，其特征在于：所述第一封裝體另包含一散熱鍍膜，所述散熱鍍膜涂布于所述第一封裝膠體的表面。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體的堆疊構(gòu)造，其特征在于：所述第二封裝體具有一第二電路板、至少一第二芯片及至少一第二封裝膠體，所述第二電路板具有至少一凹穴，以容置所述第二芯片。