[發(fā)明專利]掩膜版設計方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910050692.X
• 申請日: 2009-05-06
• 公開（公告）號: CN101881924A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發(fā)明（設計）人: 程潔;舒強;黃宜斌;任亞然;陳明
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本發(fā)明涉及集成電路制造領域，尤其涉及掩膜版設計方法。

背景技術

掩膜版在集成電路制造工藝中有廣泛應用，其上包含電路圖案。掩膜版通常用于將該電路圖案轉移至硅片上，常見的轉移過程為：

步驟a1，提供一半導體基體，該基體可能包含一些器件結構；

步驟a2，在基體上涂布光刻膠；

步驟a3，將包含電路圖案的掩膜版置于光刻膠上方；

步驟a4，用光波照射掩膜版，使得透過電路圖案的光波與光刻膠發(fā)生反應；

步驟a5，再將基體置于顯影液中顯影，通過顯影去除部分光刻膠，未去除的光刻膠形成對應該電路圖案的光刻膠圖案。

然后通過其它后續(xù)常規(guī)過程，通過光刻膠圖案在基體上形成電路。

業(yè)界常用掩膜版透光率(mask?transmission?rate)來衡量掩膜版上電路圖案的疏密程度，對于去除型(clear?tone)的光罩，透光率越低說明電路圖案越稀疏，透光率越高說明電路圖案越密集。

出于設計需要，有些電路圖案中低閾值電壓的金屬氧化物半導體(MOS，Metal-Oxide-Semiconductor)器件對應的區(qū)域的密度很小，對應的掩膜版透光率很低，例如小于0.5％。

但在使用透光率很低的掩膜版進行電路圖案轉移時，經(jīng)常發(fā)現(xiàn)在顯影后需要保留以形成光刻膠圖案的光刻膠出現(xiàn)翹起(lifting)和崩塌(scum)現(xiàn)象。

本申請發(fā)明人通過分析發(fā)現(xiàn)：在將上述透光率很低的掩膜版的電路圖案轉移至半導體基體的過程中，電路圖案稀疏，在將基體置于顯影液中顯影去除光刻膠時將去除大量光刻膠，剩余稀疏的光刻膠構成與電路圖案對應的光刻膠圖案。由于需要剩余的光刻膠很稀疏，因此在顯影時，容易受到顯影液的沖擊而出現(xiàn)光刻膠lifting和scum現(xiàn)象。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供掩膜版設計方法，以避免采用現(xiàn)有掩膜版進行電路圖案轉移時存在的光刻膠lifting和scum現(xiàn)象。

本發(fā)明提出的掩膜版設計方法包括：當包含電路圖案的掩膜版的透光率小于預定值時，在該掩膜版上添加輔助圖案。

可選的，所述預定值為0.5％。

可選的，添加輔助圖案后，需使得所述掩膜版的透光率大于1％。

可選的，所述輔助圖案為輔助有源區(qū)圖案和/或輔助多晶硅柵圖案。

可選的，還包括確定輔助圖案與電路圖案距離的步驟。

可選的，所述距離需滿足條件：采用輔助圖案制造出的結構對采用電路圖案制造的電路的性能影響處于預定范圍。

可選的，還包括確定輔助圖案形狀的步驟。

可選的，還包括確定輔助圖案尺寸的步驟。

可選的，所述輔助圖案為方形。

可選的，所述方形輔助圖案的邊長為0.5微米，關鍵尺寸大于0.18微米；輔助圖案間的距離為1微米。

本發(fā)明提出的一種掩膜版設計方法中，通過在透光率小于預定值的包含電路圖案的掩膜版上添加輔助圖案，可以增加掩膜版的透光率，從而避免了現(xiàn)有透光率過低掩膜版導致的光刻膠lifting和scum現(xiàn)象。

本發(fā)明提出的另一種掩膜版設計方法中，通過確定輔助圖案的形狀和/或尺寸，以確定出合適的輔助圖案，來盡可能提高制程的穩(wěn)定及簡單。

本發(fā)明提出的另一種掩膜版設計方法中，通過確定輔助圖案與掩膜版上電路圖案的距離，來防止電路圖案對應的結構受輔助圖案對應的結構的影響，提高電路的穩(wěn)定性。

本發(fā)明提出的另一種掩膜版設計方法中，輔助圖案設計為方形，使得制程穩(wěn)定和簡單。

本發(fā)明提供的另一種掩膜版設計方法中，方形輔助圖案的邊長為0.5微米，關鍵尺寸大于0.18微米；輔助圖案間的距離為1微米，有效的避免了透光率較低導致的光刻膠lifting和scum現(xiàn)象，并且制程穩(wěn)定簡單。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的掩膜版設計方法的流程圖。

圖2為本發(fā)明實施例提供的輔助圖案的示意圖。

具體實施方式

盡管下面將參照附圖對本發(fā)明進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發(fā)明而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。