[發(fā)明專利]薄膜晶體管器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910050351.2
• 申請日: 2009-04-30
• 公開（公告）號: CN101572273A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張志林;張建華;李俊;張良;張小文
• 申請（專利權(quán)）人: 上海大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417;H01L21/283
• 代理公司: 上海上大專利事務(wù)所（普通合伙）
• 代理人: 何文欣

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明專利所涉及的是一種薄膜晶體管(TFT)器件，它可應用于液晶顯示器的TFT基板，OLED顯示器的TFT基板，電子紙的TFT基板，以及其他控制器件等。

背景技術(shù)：

TFT器件及由它構(gòu)成的TFT基板已廣泛的應用于液晶顯示屏，有機發(fā)光顯示屏，電子紙以及其它各種顯示器和控制器件中。其基本結(jié)構(gòu)有底柵結(jié)構(gòu)和頂柵結(jié)構(gòu)兩種。以目前最常用的Si基TFT器件為例。圖一。為底柵結(jié)構(gòu)的TFT器件的示意圖。它是在玻璃或其它基板(1)上先用濺射或真空蒸發(fā)的方法制作一層金屬柵極層(2)，然后在其上用PECVD方法制作SiO₂或Si₃N₄的第一絕緣層(3)，然后在其上用PECVD方法制作非晶硅或低溫多晶硅的有源層(4)和摻磷的n+型或摻硼的p+型的歐姆接觸層(5)，然后再用真空濺射或真空蒸發(fā)制備金屬源電極(6)和漏電極(7)。在此制作過程中制作歐姆接觸層時必須用有劇毒的磷烷或者硼烷。而且由于為了要分割源電極和漏電極，不僅要蝕刻金屬而且還要刻掉此歐姆接觸層，此層的厚度為幾十納米。由于歐姆接觸層與有源層是同一種材料因此很難準確的刻斷此層，只有過蝕刻才能達到要求。

發(fā)明內(nèi)容：

本發(fā)明的目的是針對已有技術(shù)存在的缺陷，提供一種改進的薄膜晶體管器件，達到降低了有源層與源電極和漏電極的接觸電阻。為達到上述目的本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

一種薄膜晶體管器件，它包括基板、金屬柵極層、第一絕緣層、有源層、源電極和漏電極，其特征在于在所述的有源層與源電極和漏電極層之間有一層第二絕緣層，它能起到降低源電極和漏電極與有源層中間的接觸電阻的作用。

上述第二絕緣層的材料是氧化物、氟化物、氮化物或有機絕緣體。

上述第二絕緣層的厚度在0.1到幾十納米。

上述第二絕緣層為采用PECVD的方法制作的SiO₂、Si₃N₄或Al₂O₃，或者為采用真空蒸發(fā)的方法制備的LiF、Mo₂O₃、WO₃或V₂O₅。

1)上述第二絕緣層是一個多種材料的復合層，

2)上述第二絕緣層是多種材料的混合層

本發(fā)明的與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有如下顯而易見的突出實質(zhì)性特點和顯著優(yōu)點：本發(fā)明在有源層與金屬源電極和漏電極之間有一層第二絕緣層，代替了已有技術(shù)中使用的歐姆接觸層，具有如下的效果：

1)由于本發(fā)明采用第二絕緣層是不用攙雜磷和硼，因此在制備過程中不需要用有劇毒的磷烷或硼烷，因此大大降低了制備過程的危險性，也減少了成本。

2)由于本發(fā)明的第二絕緣層很薄，在橫向是不導電的，因此在完成源漏電極的蝕刻后不需要再刻掉此絕緣層。可以省了一道蝕刻工藝。

3)由于本發(fā)明的第二絕緣層的厚度很薄，薄到正好達到載流子隧穿的要求。這就實現(xiàn)了降低接觸電阻的要求。

附圖說明：

圖1是已有技術(shù)的底柵TFT器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明一個實施例的底柵TFT器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明的另一個實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖

具體實施方式：

本發(fā)明的優(yōu)選實施例結(jié)合附圖說明如下：

實施例1，參見圖2本薄膜晶體管器件它包括基板1、金屬柵極層2、第一絕緣層3、有源層4源電極6和漏電極7，所述的有源層4與源電極6和漏電極層7之間有一層第二絕緣層8，它能起到降低源電極6和漏電極7與有源層4中間的接觸電阻的作用。其制備方法是：在玻璃基板1上用真空蒸發(fā)或者直流濺射的方法制備鋁電極層，并用光刻的方法刻出寬度為50微米的柵電極2。在其上用PECVD方法制造一層作為第一絕緣層的Si₃N₄和SiO₂的復合絕緣層其厚度為300納米3，再用PECVD的方法制作一層非晶硅的高阻的有源層4。在其上再用PECVD方法制備一層厚度為0.5納米的SiO₂絕緣層作為第二絕緣層8。用光刻的方法刻出TFT的臺面，并刻出柵電極的引線。在其上用真空蒸發(fā)或者直流濺射的方法制備鋁電極層，再用光刻的方法刻出源電極6和漏電極7來。