[發明專利]薄膜晶體管器件

有效

• 申請號: 200910050351.2
• 申請日: 2009-04-30
• 公開（公告）號: CN101572273A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 張志林;張建華;李俊;張良;張小文
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417;H01L21/283
• 代理公司: 上海上大專利事務所（普通合伙）
• 代理人: 何文欣

1.一種薄膜晶體管器件，它包括在基板(1)、金屬柵極層(2)、第一絕緣層(3)、有源層(4)源電極(6)和漏電極(7)，其特征在于在所述的有源層(4)與源電極(6)和漏電極層(7)之間有一層第二絕緣層(8)，它能起到降低源電極(6)和漏電極(7)與有源層(4)中間的接觸電阻的作用；所述第二絕緣層(8)的材料是氧化物、氟化物、氮化物或有機絕緣體。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于所述第二絕緣層(8)的厚度在0.1到幾十納米。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于所述第二絕緣層(8)為采用PECVD的方法制作的SiO₂、Si₃N₄或Al₂O₃，或者為采用真空蒸發的方法制備的LiF、Mo₂O₃、WO₃或V₂O₅。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于所述第二絕緣層(8)是一個多種材料的復合層。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于所述第二絕緣層(8)是多種材料的混合層。