[發明專利]一次可編程電阻型存儲器測試方法

有效

• 申請號: 200910050100.4
• 申請日: 2009-04-27
• 公開（公告）號: CN101872649A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 林殷茵;尹明;金鋼;吳雨欣;張佶
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 包兆宜

技術領域

本發明屬于存儲器技術領域，具體涉及一次可編程存儲器(OTP)，尤其涉及一種一次可編程電阻型存儲器的測試方法。

背景技術

一次編程存儲器(OTP)是常見的非揮發存儲器中的一種，它通過字線和位線交叉的存儲單元來存儲邏輯信息，其中，常見的存儲單元有熔絲、反熔絲和電荷俘獲型器件(例如浮柵雪崩注入場效應管)。一次編程存儲器一般是不可重復編程的。

因為傳統的一次可編程電阻型存儲器產品使用的存儲介質，只能編程一次，所以在交付用戶使用(出廠前)前，不能或很難做產品測試，也很難保證交付用戶的產品一定合格。而對于具有多次存儲介質的存儲器用于只需要客戶編程一次的場合，本發明提出的一次可編程電阻型存儲器由于使用了具有多次可編程能力的介質，所以使得針對一次性編程應用場合的存儲器產品的測試成為可能。產品在交付用戶前進行測試，一方面可以保證交付客戶使用的產品的高合格率，另一方面可通過測試找出失效的存儲單元，并使用冗余陣列對存儲器中失效存儲單元進行補償修復，從而可以有效的提高產品良率。因此本發明提供一種一次可編程電阻型存儲器的測試方法。

發明內容

本發明的要解決的技術問題是，提高一次可編程電阻型存儲器的產品良率。

為解決以上技術問題，本發明提供的一次可編程電阻型存儲器測試方法，用于具有多次編程能力的一次可編程電阻型存儲器的測試，包括以下步驟：

(1)對所述存儲器的逐個存儲單元進行擦除操作驗證；

(2)對所述存儲器的逐個存儲單元進行存儲功能驗證；

(3)對所述存儲器進行可靠性作測試。

根據本發明提供的測試方法，其中，在所述步驟(1)之前，還包括步驟：

(a1)對所述存儲器的存儲單元進行激活操作，如果激活操作通過，則進入步驟(1)，如果激活操作失敗則進入步驟(b1)；

(b1)記錄激活操作失敗的存儲單元的地址；

(c1)修復激活操作失敗的存儲單元，如果修復成功則進入步驟(1)，如果修復失敗，則將該存儲器歸類為失效類。其中，所述修復通過存儲器的冗余存儲單元進行。

根據本發明提供的測試方法，其中，在所述步驟(1)和步驟(2)之間還包括步驟：

(1a)如果所有存儲單元的擦除操作驗證通過，則進入步驟(2)，如果擦除驗證操作沒有通過，則進入步驟(1b)；

(1b)記錄激活操作失敗的存儲單元的地址；

(1c)修復擦除操作失敗的存儲單元，如果修復成功則進入步驟(1)，如果修復失敗，則將該存儲器歸類為失效類。其中，所述修復通過存儲器的冗余存儲單元進行。

根據本發明提供的測試方法，其中，在所述步驟(2)和步驟(3)之間還包括步驟：

(2a)如果所有存儲單元的存儲功能驗證通過，則進入步驟(3)，如果存儲功能驗證操作沒有通過，則進入步驟(2b)；

(2b)記錄存儲功能驗證失敗的存儲單元的地址；

(2c)修復存儲功能驗證失敗的存儲單元，如果修復成功則進入步驟(1)，如果修復失敗，則將該存儲器歸類為失效類。其中，所述修復通過存儲器的冗余存儲單元進行。

根據本發明提供的測試方法，其中，在所述步驟(3)之后還包括：(4)對存儲器的所有存儲單元寫成高阻態。在所述步驟(3)和步驟(4)之后還包括步驟：

(3a)如果所有存儲單元的可靠性測試通過，則進入步驟(4)，如果有存儲單元的可靠性測試沒有通過，則進入步驟(3b)；

(3b)記錄可靠性測試失敗的存儲單元的地址；

(3c)修復可靠性測試失敗的存儲單元，如果修復成功則進入步驟(1)，如果修復失敗，則將該存儲器歸類為失效類。其中，所述修復通過存儲器的冗余存儲單元進行。

根據本發明提供的測試方法，其中，所述步驟(3)包括以下步驟：

(31)存儲器所有存儲單元被擦除到高阻；

(32)按“0”、“1”間隔的棋盤格圖形形式，將存儲器編程進行寫操作；

(33)將存儲器置于高溫中烘烤；

(34)讀存儲器中所寫入的數據；

(35)判斷與寫入的數據是否與預先設定的“0”、“1”間隔的棋盤格圖形形式相符合，如果判斷為“是”，表示通過存儲器可靠性測試，如果判斷為“否”，表示沒能通過存儲器可靠性測試。

根據本發明提供的測試方法，其中，所述一次可編程電阻型存儲器的存儲單元包括：

第一選通管，

與所述第一選通管串聯連接的第一存儲電阻，

第二選通管，

以及，與所述第二選通管串聯連接的第二存儲電阻；