[發明專利]一次可編程電阻型存儲器測試方法

有效

• 申請號: 200910050100.4
• 申請日: 2009-04-27
• 公開（公告）號: CN101872649A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 林殷茵;尹明;金鋼;吳雨欣;張佶
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 包兆宜

1.一種一次可編程電阻型存儲器測試方法，用于具有多次編程能力的一次可編程電阻型存儲器的測試，其特征在于，包括以下步驟：

(1)對所述存儲器的逐個存儲單元進行擦除操作驗證；

(2)對所述存儲器的逐個存儲單元進行存儲功能驗證；

(3)對所述存儲器進行可靠性測試。

2.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于，在所述步驟(1)之前，還包括步驟：

(a1)對所述存儲器的存儲單元進行激活操作，如果激活操作通過，則進入步驟(1)，如果激活操作失敗則進入步驟(b1)；

(b1)記錄激活操作失敗的存儲單元的地址；

(c1)修復激活操作失敗的存儲單元，如果修復成功則進入步驟(1)，如果修復失敗，則將該存儲器歸類為失效類。

3.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于，在所述步驟(1)和步驟(2)之間還包括步驟：

(1a)如果所有存儲單元的擦除操作驗證通過，則進入步驟(2)，如果擦除驗證操作沒有通過，則進入步驟(1b)；

(1b)記錄激活操作失敗的存儲單元的地址；

(1c)修復擦除操作失敗的存儲單元，如果修復成功則進入步驟(1)，如果修復失敗，則將該存儲器歸類為失效類。

4.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于，在所述步驟(2)和步驟(3)之間還包括步驟：

(2a)如果所有存儲單元的存儲功能驗證通過，則進入步驟(3)，如果存儲功能驗證操作沒有通過，則進入步驟(2b)；

(2b)記錄存儲功能驗證失敗的存儲單元的地址；

(2c)修復存儲功能驗證失敗的存儲單元，如果修復成功則進入步驟(1)，如果修復失敗，則將該存儲器歸類為失效類。

5.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于，在所述步驟(3)之后還包括：

(4)對存儲器的所有存儲單元寫成高阻態。

6.根據權利要求5所述的測試方法，其特征在于，在所述步驟(3)和步驟(4)之后還包括步驟：

(3a)如果所有存儲單元的可靠性測試通過，則進入步驟(4)，如果有存儲單元的可靠性測試沒有通過，則進入步驟(3b)；

(3b)記錄可靠性測試失敗的存儲單元的地址；

(3c)修復可靠性測試失敗的存儲單元，如果修復成功則進入步驟(1)，如果修復失敗，則將該存儲器歸類為失效類。

7.根據權利要求2或3或4或6所述的測試方法，其特征在于，所述修復通過存儲器的冗余存儲單元進行。

8.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于所述，所述步驟(3)包括以下步驟：

(31)存儲器所有存儲單元被擦除到高阻；

(32)按“0”、“1”間隔的棋盤格圖形形式，將存儲器編程進行寫操作；

(33)將存儲器置于高溫中烘烤；

(34)讀存儲器中所寫入的數據；

(35)判斷與寫入的數據是否與預先設定的“0”、“1”間隔的棋盤格圖形形式相符合，如果判斷為“是”，表示通過存儲器可靠性測試，如果判斷為“否”，表示沒能通過存儲器可靠性測試。

9.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于所述，所述一次可編程電阻型存儲器的存儲單元包括：

第一選通管，

與所述第一選通管串聯連接的第一存儲電阻，

第二選通管，

以及，與所述第二選通管串聯連接的第二存儲電阻；

其中，所述一次編程電阻隨機存儲單元：(1)第一存儲電阻處于低阻且第二存儲電阻處于高阻時處于數據狀態“1”，(2)第一存儲電阻處于高阻且第二存儲電阻處于低阻時處于數據狀態“0”。

10.根據權利要求9所述的測試方法，其特征在于所述，步驟(2)包括以下步驟：

(201)所述儲存器的地址信號被初始化為存儲器最低有效位的地址；

(202)讀取存儲器的當前地址對應存儲單元的第一存儲電阻的狀態；

(203)判斷第一存儲電阻是否為高阻，若該第一存儲電阻為高阻，則轉入步驟(204)；若該第一存儲電阻為低阻，則記錄為失效信息；

(204)讀取當前地址對應存儲單元的第二存儲電阻的狀態；

(205)判斷第二存儲電阻是否為高阻，若該第二存儲電阻為高阻，則轉入步驟(206)；若該第二存儲電阻為低阻，則記錄為失效信息；

(206)對當前地址的存儲單元寫數據“1”；

(207)讀取當前地址對應存儲單元的第一存儲電阻的狀態；

(208)判斷第一存儲電阻是否為低阻，若該第一存儲電阻為低阻，則轉入步驟(209)若該第一存儲電阻為高阻，則記錄為失效信息；

(209)讀取當前地址對應存儲單元的第二存儲電阻的狀態；

(210)判斷第二存儲電阻是否為高阻，若該第二存儲電阻為高阻，則轉入步驟(211)，若該第二存儲電阻為低阻，則記錄為失效信息；

(211)判斷地址是否指向存儲器的最高有效位，如果判斷為“是”，則進入(212)，反之則進行存儲器地址自加一，然后再進入(202)，重復對下一地址所對應的存儲單元進行驗證操作；

(212)讀所有存儲單元數據；

(214)判斷所有存儲單元的存儲數據是否為“1”，如果判斷為“是”，則進入步驟(217)，如果判斷為“否”，則記錄為失效信息。

(217)對存儲器所有存儲電阻做擦除操作至高阻；

(218)儲存器地址信號被初始化為存儲器最高有效位的地址；

(219)讀取當前地址對應存儲單元的第一存儲電阻的狀態；

(220)判斷第一存儲電阻是否為高阻，若該第一存儲電阻為高阻，則轉入步驟(221)，若該第一存儲電阻為低阻，則記錄為失效信息；

(221)讀取當前地址對應存儲單元的第二存儲電阻的狀態；

(222)判斷第二存儲電阻是否為高阻，若該第二存儲電阻為高阻，則轉入步驟(223)，若該第二存儲電阻為低阻，則記錄為失效信息；

(223)對當前地址的存儲單元寫數據“0”；

(224)讀取當前地址對應存儲單元的第一存儲電阻的狀態；

(225)判斷第一存儲電阻是否為高阻，若該第一存儲電阻為高阻，則轉入步驟(226)，若該第一存儲電阻為低阻，則記錄為失效信息；

(226)讀取當前地址對應存儲單元的第二存儲電阻的狀態；

(227)判斷第二存儲電阻是否為低阻，若該第二存儲電阻為低阻，則轉入(228)，若該第二存儲電阻為高阻，則記錄為失效信息；

(228)判斷地址是否指向存儲器的最低有效位。如果判斷為“是”，則進入步驟(229)，反之則將存儲器地址信號自減一，再進入步驟(219)，重復對下一地址所對應的存儲單元進行驗證操作；

(229)讀所有存儲單元數據；

(230)判斷所有存儲單元的存儲數據是否為“0”，如果判斷為“是”，則表示通過存儲功能驗證，如果判斷為“否”，則記錄為失效信息。