[發(fā)明專利]分柵閃存的操作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910049791.6 | 申請(qǐng)日： | 2009-04-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101593557A | 公開（公告）日： | 2009-12-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 顧靖;曹子貴;孔蔚然 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C16/10 | 分類號(hào)： | G11C16/10;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人： | 鄭 瑋 |
| 地址： | 201203上海市*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 閃存 操作方法 | ||
1.一種分柵閃存單元的編程方法，所述分柵閃存單元包括柵極、在所述柵 極一側(cè)的第一浮柵以及第一浮柵上的第一控制柵、在所述柵極另一側(cè)的第二浮 柵以及第二浮柵上的第二控制柵、位于所述第一浮柵外側(cè)的源極端、位于所述 第二浮柵外側(cè)的漏極端，其特征在于：當(dāng)對(duì)所述第一浮柵編程時(shí)，調(diào)整施加在 所述第二控制柵的電壓，在所述漏極端施加的電壓為5V～20V，保持所述源極 端流向漏極端形成的溝道電流為一恒定值，所述恒定值為1毫安～100毫安。
2.如權(quán)利要求1所述的分柵閃存單元的編程方法，其特征在于：所述第一 控制柵上施加的電壓為5V～20V。
3.如權(quán)利要求2所述的分柵閃存單元的編程方法，其特征在于：所述第一 控制柵上施加的電壓為10V。
4.如權(quán)利要求1所述的分柵閃存單元的編程方法，其特征在于：所述源極 端接地。
5.如權(quán)利要求1所述的分柵閃存單元的編程方法，其特征在于：在所述柵 極上施加的電壓為1V～3V。
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