[發明專利]一種OTP存儲器的硅化金屬電極制作方法

有效

• 申請號: 200910049790.1
• 申請日: 2009-04-22
• 公開（公告）號: CN101593729A
• 公開（公告）日: 2009-12-02
• 發明（設計）人: 李榮林;劉正超;徐愛斌;李棟;董耀旗
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/283;H01L21/027;H01L27/115
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 鄭 瑋

1.一種OTP存儲器的硅化金屬電極制作方法，其在制作完依次排布的第一 控制柵、第一浮柵、第二浮柵和第二控制柵后進行，該OTP存儲器具有硅化金 屬阻止區以及硅化金屬電極區，該硅化金屬電極區包括位于第一浮柵與第二浮 柵間的位線區，其特征在于，該方法包括以下步驟：a、沉積阻止氧化層；b、 沉積第一硬掩模層；c、涂敷光刻膠并光刻出位線區圖形，該位線區圖形具有對 應于所述位線區的開口，且該開口暴露所述第一硬掩模層；d、進行刻蝕工藝在 第一硬掩模層上形成位線區圖形，該位線區圖形具有對應于所述位線區的開口， 且該開口暴露所述阻止氧化層；e、沉積第二硬掩模層；f、刻蝕第二硬掩模層以 在第一硬掩模層的位線區圖形兩側壁上形成掩模側墻；g、在第一硬掩模層及掩 模側墻的遮蔽下進行刻蝕工藝，刻蝕去除位線區阻止氧化層厚度的80％至98％， 以在阻止氧化層上形成位線區圖形；h、去除第一硬掩模層及掩模側墻；i、涂敷 光刻膠并通過光刻工藝去除硅化金屬阻止區和位線區外的光刻膠；j、對阻止氧 化層進行刻蝕工藝以形成硅化金屬阻止層；k、在硅化金屬電極區制作硅化金屬 電極。

2.如權利要求1所述的OTP存儲器的硅化金屬電極制作方法，其特征在于， 在步驟a中，該阻止氧化層的厚度范圍為300至2000埃。

3.如權利要求1所述的OTP存儲器的硅化金屬電極制作方法，其特征在于， 該步驟j包括以下步驟：j1、進行干法刻蝕工藝刻蝕去除阻止氧化層厚度的80％ 至98％；j2、去除硅化金屬阻止區和位線區上的光刻膠；j3、進行濕法刻蝕工藝 去除硅化金屬電極區上的阻止氧化層，并形成硅化金屬阻止層。

4.如權利要求3所述的OTP存儲器的硅化金屬電極制作方法，其特征在于， 在步驟j3中，濕法刻蝕工藝的刻蝕液是氫氟酸，或者是氫氟酸和氟化氨的混合 液。

5.如權利要求1所述的OTP存儲器的硅化金屬電極制作方法，其特征在于， 該第一硬掩模層和第二硬掩模層均包括氮化硅。

6.如權利要求5所述的OTP存儲器的硅化金屬電極制作方法，其特征在于， 該第一硬掩模層和第二硬掩模層均通過等離子增強化學氣相沉積工藝或低壓化 學氣相沉積工藝沉積。

7.如權利要求1所述的OTP存儲器的硅化金屬電極制作方法，其特征在于， 該第一硬掩模層和第二硬掩模層的厚度范圍均為200至1800埃，該第一硬掩模 層和第二硬掩模層的厚度與位線區的電極的寬度負相關。

8.如權利要求1所述的OTP存儲器的硅化金屬電極制作方法，其特征在于， 步驟k包括以下步驟：k1、進行物理氣相沉積工藝沉積金屬；k2、進行熱處理 以在硅化金屬電極區形成硅化金屬電極；k3、去除未反應的金屬。

9.如權利要求8所述的OTP存儲器的硅化金屬電極制作方法，其特征在于， 該金屬包括鈷、鈦或鎳，該硅化金屬電極包括硅化鈷電極、硅化鈦電極或硅化 鎳電極。