[發(fā)明專利]一種抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910047761.1
• 申請(qǐng)日: 2009-03-18
• 公開（公告）號(hào): CN101510520A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張志勇;葉守銀;祁建華;岳小兵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華嶺集成電路技術(shù)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;G01R31/28
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 屈 蘅

1.一種抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，采用探針卡對(duì)晶圓上的芯片進(jìn)行測(cè)試和修整，所述探針卡上具有測(cè)試探針和熔絲探針兩種探針，所述探針卡上依次設(shè)置有第一測(cè)試探針組、熔絲探針組和第二測(cè)試探針組，所述方法包括以下步驟：步驟一、測(cè)試芯片在修整熔絲之前的初始值；步驟二、修整熔絲；步驟三、測(cè)試修整熔絲之后的最終修調(diào)結(jié)果，其特征在于：通過晶圓與探針卡的相對(duì)位移，使晶圓上的所述芯片依次移動(dòng)至各個(gè)探針組所對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，并依次執(zhí)行步驟一至步驟三，在上述三個(gè)步驟中，每次只采用一種探針與所述芯片相接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，其特征在于：所述步驟一中，采用測(cè)試探針與所述芯片相接觸，測(cè)試芯片在修整熔絲之前的初始值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，其特征在于：所述步驟二中，采用熔絲探針與所述芯片相接觸，并根據(jù)所述初始值選定需要修整熔絲的組合，再對(duì)所述芯片進(jìn)行修整熔絲。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，其特征在于：所述修整熔絲步驟采用電路電熔斷熔絲法或激光切割熔絲法實(shí)現(xiàn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，其特征在于：所述步驟三中，采用測(cè)試探針與所述芯片相接觸，測(cè)試芯片在修整熔絲之后的最終修調(diào)結(jié)果，并判斷該最終修調(diào)結(jié)果是否符合要求。