[發明專利]一種抗干擾異步修調晶圓測試方法

有效

• 申請號: 200910047761.1
• 申請日: 2009-03-18
• 公開（公告）號: CN101510520A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發明（設計）人: 張志勇;葉守銀;祁建華;岳小兵
• 申請（專利權）人: 上海華嶺集成電路技術有限責任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01R31/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅

技術領域

本發明涉及一種抗干擾異步修調晶圓測試方法，且特別涉及一種將熔絲探針和測試探針分別布置在不同的芯片上抗干擾異步修調晶圓測試方法。?

背景技術

電子芯片的開發包含：芯片設計，晶圓制造，晶圓測試，切割封裝，封裝測試等。晶圓測試是由測試機臺與探針卡共同構建一個測試環境，在此環境下測試晶圓上的芯片，以確保各個芯片的電氣特性與功能都符合設計的規格和規范。未能通過測試的芯片將會被標記為不良產品，在其后的切割封裝階段將被篩選出來。只有通過測試的芯片才會被封裝。晶圓測試對于降低芯片的生產成本和提高芯片的質量是非常必要的。而一個優質的芯片測試環境將是這一切的一個非常重要的保證。?

在晶圓測試時，為了提高芯片的良率和質量，通常需要對芯片的若干參數進行必要的修調。以熔絲型芯片為例，常用的修調方法是通過修整熔絲以改變被測芯片的內部電路來實現修調的目的。?

熔絲型芯片在晶圓測試時，修整熔絲一般分為三個基本步驟：?

1、測試被測芯片在修整熔絲前的初始值。在修整熔絲之前，需要測試芯片的初始值以決定修整的熔絲組合。因此該初始值測試的準確性將是致關重要的，甚至直接決定著修整熔絲的成敗。?

2、修整熔絲。根據被測芯片在修整熔絲之前的初始值選定需要修整的熔絲組合，然后由熔斷電路來電熔斷所選熔絲組合。?

3、測試被測芯片在修整熔絲之后的最終修調結果，并判斷是否符合要求。?

上述步驟1、3的測試數據是通過探針卡上的測試探針獲取的，而步驟2的操作則是通過探針卡上的熔絲探針來進行的。相應的，每一個熔絲型芯片上設有與熔絲探針和測試探針相匹配的接點，供探針接觸。?

目前，現有技術方案中在上述步驟中將熔絲探針和測試探針布置在同一顆芯片上，圖1是利用現有探針卡測試芯片103時，探針在芯片103上相應位置的放大示意圖，由于探針上的熔絲探針122和測試探針121同時與芯片103上的熔絲探針接點和測試探針接點相接觸，使得在進行測試芯片103時，熔絲探針和熔絲探針接點之間、測試探針和測試探針接點之間都形成了通路，導致熔絲探針對該集成電路芯片測試的干擾問題。

另外芯片在晶圓測試時的測試環境與芯片封裝后的使用環境完全不同，大大增加了芯片在晶圓測試時外部環境對芯片的干擾。這種干擾對于一些比較敏感的芯片或者參數精度要求較高的芯片將是致命的、是必須克服的。?

發明內容

本發明提供一種抗干擾異步修調晶圓測試方法，以通過避免熔絲探針對芯片參數測試的干擾來提高修調的精確性。?

為了達到上述目的，本發明提供一種抗干擾異步修調晶圓測試方法，采用探針卡對晶圓上的芯片進行測試和修整，所述探針卡上具有測試探針和熔絲探針兩種探針，所述探針卡上依次設置有第一測試探針組、熔絲探針組和第二測試探針組，包括以下步驟：步驟一、測試芯片在修整熔絲之前的初始值；步驟二、修整熔絲；步驟三、測試修整熔絲之后的最終修調結果，通過晶圓與探針卡的相對位移，使晶圓上的所述芯片依次移動至各個探針組所對應的區域內，并依次執行步驟一至步驟三，在上述三個步驟中，每次只采用一種探針與所述芯片相接觸。?

所述步驟一中，采用測試探針與所述芯片相接觸，測試芯片在修整熔絲之前的初始值。?

所述步驟二中，采用熔絲探針與所述芯片相接觸，并根據所述初始值選定需要修整熔絲的組合，再對所述芯片進行修整熔絲。?

所述修整熔絲步驟采用電路電熔斷熔絲法或激光切割熔絲法實現。?

所述步驟三中，采用測試探針與所述芯片相接觸，測試芯片在修整熔絲之后的最終修調結果，并判斷該最終修調結果是否符合要求。?

本技術方案在測試芯片時，對于某一芯片而言，每次只會有一種探針，即測試探針或熔絲探針與之接觸，因此在修整熔絲之前進行測試芯片初始值時以?及在修整熔絲之后進行最終修調結果時，被測芯片不會與熔絲探針相接觸，從而避免了熔絲探針對芯片測試初始值和修調結果的干擾，測試精度得到很大的提高。?

附圖說明

圖1所示為現有技術方案中測試芯片時探針在芯片相應位置的放大示意圖。?

圖2所示為本發明技術方案中進行晶圓測試時探針在相鄰芯片相應位置的放大示意圖。?

圖3所示為本發明晶圓測試的流程圖。?

具體實施方式

下面結合附圖給出本發明較佳實施例，以詳細說明本發明的技術方案。?