[發明專利]一種刻蝕方法及雙重深度溝槽形成方法有效
| 申請號： | 200910046895.1 | 申請日： | 2009-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN101826458A | 公開（公告）日： | 2010-09-08 |
| 發明（設計）人： | 羅飛;鄒立 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3105 | 分類號： | H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/265;H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 刻蝕 方法 雙重 深度 溝槽 形成 | ||
1.一種刻蝕方法，其特征在于，包括：
提供包括第一區域和第二區域的半導體襯底，所述半導體襯底上形成有 介質層；
對所述介質層進行處理，所述對所述介質層進行處理包括在所述第一區 域的介質層內形成離子注入層，使得所述第一區域內的介質層刻蝕率低于第 二區域內的介質層的刻蝕率；
刻蝕介質層和半導體襯底形成第一開口和第二開口，第一開口位于第一 區域，第二開口位于第二區域，所述第一開口的深度小于第二開口的深度。
2.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述介質層是單一覆層或是 由多層覆層所形成的堆棧結構。
3.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述形成離子注入層的過程 包括：在所述介質層形成光刻膠圖形，對所述介質層進行離子注入，離子 注入后的退火，去除光刻膠。
4.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述離子注入包括至少一道 離子注入步驟。
5.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述的離子注入為N離子、 O離子或C離子注入。
6.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述的刻蝕介質層和半導體 襯底形成第一開口和第二開口的刻蝕方法為等離子體刻蝕。
7.一種雙重深度溝槽形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底依次包括硅襯底和介質層，所述半導 體襯底包括第一區域和第二區域；
在所述第一區域的介質層內形成離子注入層；
刻蝕介質層和硅襯底形成第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽位于第一 區域，所述第二溝槽位于第二區域，所述第一溝槽的深度小于第二溝槽的深 度。
8.如權利要求7所述的雙重深度溝槽形成方法，其特征在于，所述第一區域 為像素區域；所述第二區域為外圍區域。
9.如權利要求7所述的雙重深度溝槽形成方法，其特征在于，所述介質層為 是單一覆層或是由多層覆層所形成的堆棧結構。
10.如權利要求7所述的雙重深度溝槽形成方法，其特征在于，所述離子注入 為由至少一道離子注入步驟構成。
11.如權利要求10所述的雙重深度溝槽形成方法，其特征在于，所述的離子注 入為N離子、O離子或C離子注入。
12.如權利要求7所述的雙重深度溝槽形成方法，其特征在于，所述的刻蝕方 法為等離子體刻蝕。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
