[發(fā)明專(zhuān)利]控制側(cè)墻形成的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910046891.3
• 申請(qǐng)日: 2009-03-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101826461A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁鐘
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/311
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/311;H01L21/336
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 王一斌;王琦

1.一種控制側(cè)墻形成的方法，其特征在于，包括：

刻蝕前，測(cè)量刻蝕結(jié)構(gòu)，對(duì)刻蝕結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，并測(cè)量刻蝕后的結(jié)構(gòu)；

比較刻蝕前后的特征參數(shù)，獲取刻蝕參數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用光學(xué)線(xiàn)寬測(cè)量技術(shù)測(cè)量所述刻蝕結(jié)構(gòu)和刻蝕后的結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蝕結(jié)構(gòu)中包括有氧化的氮化氧化硅ONO結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述測(cè)量刻蝕結(jié)構(gòu)得到的特征參數(shù)包括ONO結(jié)構(gòu)中第一氧化硅層的側(cè)面寬度，ONO結(jié)構(gòu)中第一氮化硅層的側(cè)面寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述測(cè)量刻蝕后的結(jié)構(gòu)得到的特征參數(shù)包括刻蝕ONO結(jié)構(gòu)后得到的側(cè)墻的側(cè)面寬度，襯層氧化硅層殘留物的側(cè)面寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取刻蝕參數(shù)的方法為：

刻蝕參數(shù)EtchParameter＝((PreThk-DataTarget-Bvalue)*STEP_BIAS)/LossRate，其中，LossRate＝(PreThk-PostThk-ModifiedValue)*coefficient/EtchParameter；

PreThk為刻蝕前測(cè)量得到的某特征參數(shù)，PostThk為刻蝕后測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)特征參數(shù)，DataTarget為目標(biāo)特征參數(shù)；Bvalue為修正經(jīng)驗(yàn)值，STEP_BIAS為系數(shù)，LossRate為刻蝕率范圍；ModifiedValue為修正經(jīng)驗(yàn)值，coefficient為系數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取刻蝕參數(shù)的方法為：

刻蝕參數(shù)EtchParameter＝((DataTarget-Bvalue)*STEP_BIAS)/LossRate，其中，LossRate＝(PreThk-PostThk-ModifiedValue)*coefficient/EtchParameter；

PreThk為刻蝕前測(cè)量得到的某特征參數(shù)，PostThk為刻蝕后測(cè)量得到的對(duì)應(yīng)特征參數(shù)，DataTarget為目標(biāo)特征參數(shù)；Bvalue為修正經(jīng)驗(yàn)值，STEP_BIAS為系數(shù)，LossRate為刻蝕率范圍；ModifiedValue為修正經(jīng)驗(yàn)值，coefficient為系數(shù)。