[發(fā)明專利]制造分離柵級存儲器浮柵的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910046775.1 | 申請日： | 2009-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN101819929A | 公開（公告）日： | 2010-09-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王友臻;周儒領(lǐng);洪中山;何其旸;黃淇生;詹奕鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/283 | 分類號： | H01L21/283;H01L21/762;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 謝安昆;宋志強 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 分離 存儲器 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種制造分離柵極存儲器浮柵的方法，其特征在于，包括如下步驟：
在單晶硅晶片表面沉積第一氧化硅薄膜；
在所述第一氧化硅薄膜的上表面沉積氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的厚度大于所需浮柵的厚度；
在所述氮化硅薄膜的上表面沉積第二氧化硅薄膜；
對所述晶片依次進行淺溝槽隔離STI光刻、STI沉積、STI平坦化、移除氮化硅、浮柵多晶硅沉積和浮柵平坦化處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述氮化硅薄膜的上表面沉積的第二氧化硅薄膜的厚度的取值范圍為150埃至250埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一氧化硅薄膜的上表面沉積的氮化硅薄膜的厚度的取值范圍為1000埃至1250埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述浮柵平坦化之后得到的浮柵厚度的取值范圍為300±60埃。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
