[發(fā)明專利]測試晶片的方法及測試結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910046706.0
• 申請日: 2009-02-26
• 公開（公告）號: CN101819940A
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃艷
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/60;H01L23/544;G01R31/28
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 王一斌;王琦

1.一種測試晶片的方法，包括模擬晶片、要測試晶片及電連接模擬晶 片和要測試晶片的兩個接點的金屬引線，使模擬晶片和要測試晶片進行測試 信號交互，得到要測試晶片的測試結(jié)果，其特征在于，該方法還包括：

對要測試晶片測試之前，在所述金屬引線及模擬晶片周圍設(shè)置多條金屬 線。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述多條金屬線分為兩個 部分，一部分平行于所述金屬引線并等距離設(shè)置，另一部分垂直于所述金屬 引線并等距離設(shè)置。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述等距離為2μm。

4.如權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述多條金屬線距 離所述要測試晶片的兩個接點分別為10μm。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述測試晶片為靜態(tài)存儲 器。

6.一種測試晶片的測試結(jié)構(gòu)，包括模擬晶片、要測試晶片及電連接模 擬晶片和要測試晶片的兩個接點的金屬引線，其特征在于，該測試結(jié)構(gòu)還包 括：

位于所述金屬引線及模擬晶片周圍的多條金屬線。

7.如權(quán)利要求6所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多條金屬線分為 兩個部分，一部分平行于所述金屬引線并等距離設(shè)置，另一部分垂直于所述 金屬引線并等距離設(shè)置。

8.如權(quán)利要求7所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述等距離為2μm。

9.如權(quán)利要求6、7或8所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多條金屬 線距離所述要測試晶片的兩個接點分別為10μm。