[發明專利]電阻轉換存儲器

有效

• 申請號: 200910046487.6
• 申請日: 2009-02-23
• 公開（公告）號: CN101488514A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 張挺;宋志棠;劉波;封松林;陳邦明
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L21/762;G11C16/02
• 代理公司: 上海光華專利事務所
• 代理人: 余明偉

1.一種電阻轉換存儲器，包括選通單元、數據存儲單元；其特征在于：

所述選通單元為肖特基二極管或雙極型晶體管，其中，

所述肖特基二極管包括導電字線，所述導電字線為第一導電類型重摻雜 半導體；在所述第一導電類型重摻雜半導體的字線上有第一導電類型輕摻雜 的半導體，在輕摻雜半導體上方有金屬層；導電字線上方的輕摻雜半導體是 與字線一體，或是通過薄膜沉積制備到字線上，或是通過圓晶鍵合到字線上；

所述雙極型晶體管包括導電字線，所述導電字線為第一導電類型重摻雜 半導體；第一導電類型重摻雜的導電字線上方的是第二導電類型摻雜的半導 體；第二導電類型摻雜的半導體的上方則又是第一導電類型摻雜的半導體； 上述三層半導體之間形成了雙極型晶體管結構；導電字線上方的至少兩層半 導體是與第一導電類型重摻雜半導體字線為一體，或是通過薄膜沉積制備到 第一導電類型重摻雜半導體字線上，或是通過圓晶鍵合到第一導電類型重摻 雜半導體字線上；

所述肖特基二極管或雙極型晶體管被至少兩個深度不同的淺溝道相互 隔離開，較深的淺溝道用以隔離各字線，較淺的淺溝道用以隔離同一字線上 方的分立選通單元。

2.根據權利要求1所述的電阻轉換存儲器，其特征在于：

所述選通單元采用的選通單元被兩個深度不同的淺溝道相互隔離開。

3.根據權利要求1所述的電阻轉換存儲器，其特征在于：

器件數據存儲的方法是通過電信號對存儲材料的編程實現器件電阻的 改變。

4.根據權利要求1所述的電阻轉換存儲器，其特征在于：

所述淺溝道隔離采用的材料為絕緣材料。

5.根據權利要求1所述的電阻轉換存儲器，其特征在于：

兩個深度不同的淺溝道中，較深的淺溝道用以隔離各字線，較淺的淺溝 道用以隔離同一字線上方的分立肖特基二極管。

6.根據權利要求1所述的電阻轉換存儲器，其特征在于：

同一導電字線上方擁有數個分立的肖特基二極管。

7.根據權利要求1所述的電阻轉換存儲器，其特征在于： 所述金屬層與第一導電類型輕摻雜半導體層之間形成肖特基接觸。

8.根據權利要求1所述的電阻轉換存儲器，其特征在于：

兩個深度不同的淺溝道中，較深的淺溝道用以隔離各字線，較淺的淺溝 道用以隔離同一字線上方的分立雙極型晶體管。

9.根據權利要求1所述的電阻轉換存儲器，其特征在于：

同一導電字線上方擁有數個分立的雙極型晶體管。