[發明專利]柵氧化層失效分析方法及所用測試結構

有效

• 申請號: 200910046145.4
• 申請日: 2009-02-12
• 公開（公告）號: CN101807535A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 郭強;王玉科;龔斌
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L29/78
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種用于柵氧化層失效分析的測試結構，其特征在于，包括含有柵氧化層的待測半導體器件，以及位于所述待測半導體器件外圍的在施加偏置電壓后能產生光發射的至少1個半導體器件，進行測試時，同時對所述待測半導體器件以及所述至少1個半導體器件施加偏置電壓，所述待測半導體器件上的失效點在被加上偏置電壓時產生光發射。

2.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于：所述至少1個半導體器件為MOS晶體管。

3.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于：所述至少1個半導體器件為PN結。

4.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于：所述至少1個半導體器件為3個。

5.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于：所述至少1個半導體器件位于同一平面內。

6.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于：所述至少1個半導體器件設置在所述半導體器件外圍的切割道上。

7.一種柵氧化層失效分析方法，包括：

在含有柵氧化層的待測半導體器件外圍設置在施加偏置電壓后能產生光發射的至少1個半導體器件；

對所述至少1個半導體器件施加偏置電壓，捕捉其產生的發光點，同時對含有柵氧化層的待測半導體器件施加偏置電壓，捕捉柵氧化層的失效點上產生的發光點；

計算柵氧化層的失效點上產生的發光點與至少1個半導體器件產生的發光點的相對位置；

根據所述至少1個半導體器件的實際物理位置和計算得到的柵氧化層的失效點上產生的發光點與至少1個半導體器件產生的發光點的相對位置定位柵氧化層的失效點的實際物理位置。?