[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910046027.3
• 申請(qǐng)日: 2009-02-05
• 公開（公告）號(hào): CN101800227A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周剛;方永學(xué);黃長(zhǎng)虹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L23/52;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其 制造方法。

背景技術(shù)

液晶顯示器作為平板顯示器的一種已被廣泛的應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域中。通常， 液晶顯示器具有兩個(gè)含有用于產(chǎn)生電場(chǎng)的電極的基板，以及設(shè)置在兩基板之 間的液晶層，并通過兩基板上的電極控制施加到該液晶層的電場(chǎng)強(qiáng)度來控制 入射光的透射率，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示面板亮與暗的控制。

所述兩個(gè)含有電極的基板分別為薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT) 陣列基板和濾光片基板，其中薄膜晶體管陣列基板上具有控制像素單元的TFT 器件的陣列。在液晶顯示面板的生產(chǎn)過程中，為避免靜電放電(Electrostatic Discharge，ESD)對(duì)TFT器件的破壞，一般需要在制作過程中將TFT器件的 柵極與源極通過短路桿(Shorting?Bar)進(jìn)行短路。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種薄膜晶體管陣列基板的局部俯視圖，圖2為圖1 的C-C方向的剖視圖，如圖1和圖2所示，在薄膜晶體管陣列基板的非顯示 區(qū)域內(nèi)，短路桿6與數(shù)據(jù)線層4交疊，它們之間隔有介質(zhì)層(圖中未標(biāo)號(hào))， 由氧化銦錫(Indium-Tin?Oxides，ITO)膜層5組成的短路電極線覆蓋于包括 通孔1和通孔2在內(nèi)的鈍化層3表面上，ITO膜層5分別與所述通孔1底部的 數(shù)據(jù)線層4、所述通孔2底部的短路桿6接觸，將短路桿6與數(shù)據(jù)線層4短路 連接，類似的，短路桿6還可以與柵極線層(圖中未示出)短路連接，從而 將薄膜晶體管陣列基板顯示區(qū)域內(nèi)的TFT器件的柵極或源極短路，而且在電 測(cè)(Cell?Visual?Test)過程中可以通過短路桿向TFT陣列輸入測(cè)試信號(hào)。所述 陣列基板制作并檢測(cè)完成后，再采用激光將所述短路桿燒斷，然后進(jìn)行下一 步工藝。

然而問題在于，實(shí)際生產(chǎn)過程中需要一起刻蝕形成通孔1和通孔2，由于 兩個(gè)通孔相距較近，曝光兩個(gè)通孔的圖案時(shí)對(duì)準(zhǔn)精度的要求較高，兩個(gè)通孔 的深度也不相同，需要采用不同透過率的掩模板，而且，在兩個(gè)相鄰較近的 通孔上沉積短路電極線時(shí)，制作精度要求高，因此，這樣的結(jié)構(gòu)制作難度較 大，不利于提高良率。

此外，由于數(shù)據(jù)線層4的截面為倒梯形，導(dǎo)致覆蓋于鈍化層3上的短路 電極線5在短路桿6和數(shù)據(jù)線層4之間的交界位置(見圖1和圖2中箭頭A) 容易斷裂或在電測(cè)時(shí)該位置容易燒毀，圖3為短路桿與柵極線層交界處的電 子顯微照片，其中，(a)圖中箭頭所指為短路電極線斷裂，(b)圖中箭頭所 指為短路電極線燒毀。這種缺陷不僅使短路桿的防靜電功能失效，而且導(dǎo)致 電測(cè)信號(hào)不能正確輸入TFT器件中，不能有效的檢測(cè)薄膜晶體管陣列基板是 否合格。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種薄膜晶體管陣列基板，制作過程較簡(jiǎn)單， 有利于提高產(chǎn)品的良率。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括：

襯底；

所述襯底上的相互交疊的柵極線層和數(shù)據(jù)線層；

位于所述襯底上非顯示區(qū)域內(nèi)的、與所述數(shù)據(jù)線層交疊的短路桿，所述 短路桿與所述柵極線層位于同一層；

所述短路桿與所述數(shù)據(jù)線層之間的隔離絕緣的介質(zhì)層；

覆蓋于所述短路桿和所述數(shù)據(jù)線層上的鈍化層；

還包括：橫跨所述短路桿和數(shù)據(jù)線層交界處的通孔，所述通孔的內(nèi)表面 暴露出短路桿、數(shù)據(jù)線層、以及所述介質(zhì)層；

在所述通孔的內(nèi)表面覆蓋的短路電極線，所述短路電極線將所述數(shù)據(jù)線 層和所述短路桿電性連接。

所述數(shù)據(jù)線層和所述介質(zhì)層的界面，與所述通孔內(nèi)暴露出的數(shù)據(jù)線層側(cè) 面的夾角為銳角或直角。

所述夾角為45度至60度。

所述通孔平行于襯底方向的形狀為啞鈴形。

所述通孔的寬度小于所述短路電極線的寬度。

所述短路電極線的寬度大于所述短路桿的寬度。

所述短路電極線與所述短路桿的寬度差小于或等于2微米。

所述短路桿與所述數(shù)據(jù)線層中的至少兩條數(shù)據(jù)線交疊，每一交疊處的所 述通孔上均覆蓋有短路電極線，各個(gè)短路電極線均相互連接。

所述短路電極線包括透明導(dǎo)電材料。

本發(fā)明還提供另一種薄膜晶體管陣列基板，包括：

襯底；

所述襯底上的相互交疊的柵極線層和數(shù)據(jù)線層；