[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910046027.3 | 申請(qǐng)日: | 2009-02-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101800227A | 公開(公告)日: | 2010-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周剛;方永學(xué);黃長(zhǎng)虹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L23/52;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 李麗 |
| 地址: | 201201 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 及其 制造 方法 | ||
1.一種薄膜晶體管陣列基板,包括:
襯底;
所述襯底上的相互交叉且中間具有介質(zhì)層的柵極線層和數(shù)據(jù)線層;
位于所述襯底上非顯示區(qū)域內(nèi)的、與所述數(shù)據(jù)線層交叉且與所述數(shù)據(jù)線 層之間具有介質(zhì)層的短路桿,所述短路桿與所述柵極線層位于同一層;
所述短路桿與所述數(shù)據(jù)線層之間的隔離絕緣的介質(zhì)層;
覆蓋于所述短路桿和所述數(shù)據(jù)線層上的鈍化層;其特征在于,
還包括:橫跨所述短路桿和數(shù)據(jù)線層交界處的通孔,所述通孔的內(nèi)表面 暴露出短路桿、數(shù)據(jù)線層、以及所述介質(zhì)層;
在所述通孔的表面覆蓋的短路電極線,所述短路電極線將所述數(shù)據(jù)線層 和所述短路桿電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述數(shù)據(jù) 線層和所述介質(zhì)層的界面,與所述通孔內(nèi)暴露出的數(shù)據(jù)線層側(cè)面的夾角為銳 角或直角。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述夾角 為45度至60度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述通孔 平行于襯底方向的形狀為啞鈴形。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述通孔 的寬度小于所述短路電極線的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述短路 電極線的寬度大于所述短路桿的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述短路 電極線與所述短路桿的寬度差小于或等于2微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述短路 桿與所述數(shù)據(jù)線層中的至少兩條數(shù)據(jù)線交疊,每一交疊處的所述通孔上均覆 蓋有短路電極線,各個(gè)短路電極線均相互連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于, 所述短路電極線包括透明導(dǎo)電材料。
10.一種薄膜晶體管陣列基板,包括:
襯底;
所述襯底上的相互交叉且中間具有介質(zhì)層的柵極線層和數(shù)據(jù)線層;
位于所述襯底上非顯示區(qū)域內(nèi)的、與所述柵極線層交叉且與所述柵極線 層之間具有介質(zhì)層的短路桿,所述短路桿與所述數(shù)據(jù)線層位于同一層;
所述短路桿與所述柵極線層之間的隔離絕緣的介質(zhì)層;
覆蓋于所述短路桿和所述柵極線層上的鈍化層;其特征在于,
還包括:橫跨所述短路桿和柵極線層交界處的通孔,所述通孔的內(nèi)表面 暴露出短路桿、柵極線層、以及所述介質(zhì)層;
在所述通孔內(nèi)表面覆蓋的短路電極線,所述短路電極線將所述柵極線層 和所述短路桿電性連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述柵 極線層和所述介質(zhì)層的界面,與所述通孔內(nèi)暴露出的柵極線層側(cè)面的夾角為 銳角或直角。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述夾 角為45度至60度。
13.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法,其特征在于,包括:
提供襯底,所述襯底上具有相互交叉且中間具有介質(zhì)層的柵極線層和數(shù) 據(jù)線層,與所述數(shù)據(jù)線交叉且與所述數(shù)據(jù)線層之間具有介質(zhì)層的短路桿,所 述短路桿與所述數(shù)據(jù)線層之間的隔離絕緣的介質(zhì)層,覆蓋于所述短路桿和所 述數(shù)據(jù)線層上的鈍化層;
在所述鈍化層上形成光刻膠層,所述光刻膠層中具有橫跨短路桿和數(shù)據(jù) 線交界處的通孔的圖案;
以所述光刻膠層為掩膜對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕,在所述鈍化層中形成所 述通孔,以暴露出所述短路桿、數(shù)據(jù)線層、以及介質(zhì)層;
在所述通孔表面沉積短路電極線。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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