[發(fā)明專利]CMOS晶體管及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910045974.0
• 申請日: 2009-01-19
• 公開（公告）號: CN101783324A
• 公開（公告）日: 2010-07-21
• 發(fā)明（設計）人: 肖德元;季明華
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/28;H01L27/092;H01L29/41
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括n型硅、與n型硅相鄰的p型硅；

刻蝕半導體襯底，在n型硅中定義出p型源/漏極區(qū)域，在p型硅中定義出 n型源/漏極區(qū)域；

在半導體襯底上依次形成柵介質(zhì)層和柵極，所述柵極和柵介質(zhì)層橫跨p型 源/漏極區(qū)域和n型源/漏極區(qū)域；

在柵極兩側(cè)形成偏移間隙壁；

在柵極兩側(cè)的p型源/漏極區(qū)域內(nèi)形成p型輕摻雜漏極，在n型源/漏極區(qū)域 內(nèi)形成n型輕摻雜漏極；

在柵極兩側(cè)形成側(cè)墻；

在柵極及側(cè)墻兩側(cè)的p型源/漏極區(qū)域內(nèi)形成p型源/漏極，在n型源/漏極 區(qū)域內(nèi)形成n型源/漏極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述柵極材 料為多晶硅、金屬或金屬硅化物。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述柵極的 寬度為10nm～100nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，形成p型輕 摻雜漏極所注入的離子為硼離子。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述硼離子 濃度為10¹⁸cm^-3～10¹⁹cm^-3，劑量為10¹³cm^-2～10¹⁵cm^-2，能量為500eV～2000eV。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，形成n型輕 摻雜漏極所注入的離子為磷離子或砷離子。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述磷離子 或砷離子濃度為10¹⁸cm^-3～10¹⁹cm^-3，劑量為10¹³cm^-2～10¹⁵cm^-2，能量為10 KeV～100KeV。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，形成p型源 /漏極所注入的離子為硼離子。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述硼離子 濃度為10¹⁹cm^-3～10²¹cm^-3，劑量為10¹⁵cm^-2～10¹⁶cm^-2，能量為1KeV～5KeV。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，形成n型源 /漏極所注入的離子為磷離子或砷離子。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述CMOS晶體管的制作方法，其特征在于，所述磷離 子或砷離子濃度為10¹⁹cm^-3～10²¹cm^-3，劑量為10¹⁵cm^-2～10¹⁶cm^-2，能量為 50KeV～200KeV。

12.一種CMOS晶體管，其特征在于，包括：半導體襯底，所述半導體襯底包 括n型硅、與n型硅相鄰的p型硅；位于n型硅中的p型源/漏極區(qū)域，位 于p型硅的n型源/漏極區(qū)域；位于半導體襯底上且橫跨p型源/漏極區(qū)域和 n型源/漏極區(qū)域的柵介質(zhì)層；位于柵介質(zhì)層上的柵極；位于柵極兩側(cè)的p 型源/漏極區(qū)域內(nèi)的p型輕摻雜漏極和p型源/漏極；位于柵極兩側(cè)的n型源 /漏極區(qū)域內(nèi)的n型輕摻雜漏極和n型源/漏極；位于柵極兩側(cè)的偏移間隙壁； 位于柵極兩側(cè)偏移間隙壁上的側(cè)墻。