[發(fā)明專利]電壓轉(zhuǎn)換電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910045896.4
• 申請日: 2009-01-23
• 公開（公告）號: CN101789691A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 歐陽雄;李智
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H02M3/135
• 分類號: H02M3/135;H03K19/0175
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，包括：

輸入單元，用于接收輸入數(shù)字信號，獲得所述輸入數(shù)字信號的反相信號， 以及傳輸所述輸入數(shù)字信號和所述反相信號；

偏置電壓單元，用于根據(jù)第二電源電壓，提供根據(jù)所述輸入數(shù)字信號對應(yīng) 的電源電壓值變化的偏置電壓；

轉(zhuǎn)換單元，用于接收所述偏置電壓，根據(jù)所述偏置電壓與所述輸入數(shù)字信 號的比較結(jié)果、以及所述偏置電壓與所述輸入數(shù)字信號的反相信號的比較結(jié) 果，使得輸出信號為第一電源電壓或為低電平。

2.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述根據(jù)第二電源電壓， 提供根據(jù)輸入數(shù)字信號對應(yīng)的電源電壓值變化的偏置電壓包括：使所述第二 電源電壓與所述輸入數(shù)字信號對應(yīng)的電源電壓值相等；使所述偏置電壓與所 述第二電源電壓之間的差值保持固定值。

3.如權(quán)利要求2所述的電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述固定值為晶體管閾 值電壓。

4.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述偏置電壓單元至少 包括：第一NMOS管和第二NMOS管；

所述第一NMOS管的源極連接所述第二電源電壓，所述第二NMOS管的 柵極及其漏極與所述第一電源電壓相連接；所述第一NMOS管的柵極及其漏 極與所述第二NMOS管的源極相連接，并作為所述偏置電壓單元的輸出端。

5.如權(quán)利要求4所述的電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述偏置電壓單元還包 括：第一電容，所述第一電容的一端接于所述偏置電壓單元的輸出端，一端 接地，用于根據(jù)所述偏置電壓，進(jìn)行充、放電。

6.如權(quán)利要求4所述的電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述偏置電壓單元還包 括：在所述第一NMOS管和第二電源電壓之間，串聯(lián)連接至少一個NMOS管， 連接的所述NMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極相連接。

7.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述輸入單元包括：第 一反相器和第二反相器；所述第一反相器和所述第二反相器串聯(lián)連接，分別 將所述輸入數(shù)字信號通過所述第一反相器和所述第二反相器的信號輸出至所 述轉(zhuǎn)換單元。

8.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述輸入單元包括：一 個反相器，用于接收輸入數(shù)字信號，輸出所述輸入數(shù)字信號的反相信號。

9.如權(quán)利要求7或8所述的電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述反相器為薄氧 化層的晶體管。

10.如權(quán)利要求8所述的電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述轉(zhuǎn)換單元包括：反 相器，接收所述輸出信號，并輸出所述輸出信號的反相信號。

11.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述轉(zhuǎn)換單元包括：

第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管；

所述第三NMOS管的源極作為所述轉(zhuǎn)換單的第一輸入端，與所述輸入單元 的第一輸出端相連接；所述第四NMOS管的源極作為所述轉(zhuǎn)換單元的第二輸 入端，與所述輸入單元的第二輸出端相連接；所述第三NMOS管和所述第四 NMOS管的柵極耦接之后，作為所述轉(zhuǎn)換單元的第三輸入端，與所述偏置電 壓單元的輸出端相連接；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源極連接 第一電源電壓；

所述第三NMOS管的漏極與所述第一PMOS管的漏極和所述第二PMOS 管的柵極相連接；所述第四NMOS管的漏極與所述第一PMOS管的柵極和所 述第二PMOS管的漏極相連接，作為所述轉(zhuǎn)換單元的輸出端。