[發明專利]半導體元器件的清洗方法有效

申請號：	200910045825.4	申請日：	2009-01-23
公開（公告）號：	CN101789371A	公開（公告）日：	2010-07-28
發明（設計）人：	劉煥新	申請（專利權）人：	中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
主分類號：	H01L21/304	分類號：	H01L21/304;B08B3/04;C11D7/08;C11D7/06;H01L21/76
代理公司：	北京德琦知識產權代理有限公司 11018	代理人：	王一斌;王琦
地址：	201203 ***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體元器件清洗方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及半導體元器件的制造技術，尤其是指一種半導體元器件的清洗方法。

背景技術

在半導體元件的65nm制造技術中的有源區的光刻(AA?Photo，Active?Area?Photo)工藝中，通常使用一個光阻(PR，Photo?Resist)層進行淺溝槽隔離(STI，Shallow?Trench?Isolation)的溝槽蝕刻，并使用SiN作為光刻遮罩(mask)。而在45nm制造技術的AA?Photo工藝中，一般使用三層(Tri-layer)含Si的底部抗反射層(BARC)作為遮罩來進行STI蝕刻，從而保證氮化硅(SiN)層不會被損傷。圖1為使用三層Si?BARC進行STI蝕刻的示意圖，如圖1所示，在進行STI蝕刻時，將在SiN層上依次一層底層(Under?layer)、三層Si?BARC、一層PR層以及一層頂層(Cap?layer)。然而，在進行半導體元件的制造時，有時可能會出現一些意外情況，例如，晶圓表面殘留有較多的顆粒(high?particle)，上述的顆粒一般為殘留的Si所造成的，從而導致晶圓表面不干凈；或者晶圓表面在制造過程中被擦傷；或者在進行層的疊加時出現了對齊的錯誤等等，此時，對于出現上述問題的晶圓需要進行重做(rework)工藝。

對于上述只使用一層PR層進行STI蝕刻的工藝，現有技術中在進行重做工藝時，一般是先進行灰化(ash)處理，然后再進行清洗(wet)處理，從而去除SiN層之上的PR層，實現重做。但是，在45nm制造技術中，由于使用了三層Si?BARC層，且Si?BARC層中含有17％的Si，因此如果仍然使用上述的重做工藝(即先進行灰化處理在進行清洗處理)，將無法完全去除Si?BARC層中的Si，因而在晶圓的表面殘留大量的Si顆粒，導致晶圓表面的清潔度較低，從而最終影響重做工藝的質量。此外，在現有技術中的清洗處理中，所使用的一般為清洗機臺(wet?bench)，該清洗機臺中具有多個清洗槽，每個清洗槽中盛放相應的清洗液，晶圓按照一定的清洗順序在各個清洗槽中進行清洗。由于上述處理過程中，清洗機臺需要配置多個清洗槽，且每片晶圓都需要在多個清洗槽中進行清洗，因此使得操作過程比較復雜，清洗效率不高，清洗效果也不佳。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種半導體元器件的清洗方法，從而取得很好的清洗效果，提高了晶圓表面的清潔度。

為達到上述目的，本發明中的技術方案是這樣實現的：

一種半導體元器件的清洗方法，該方法包括：

使用硫酸和雙氧水的混合液SPM對具有三層含Si的底部抗反射層的晶圓表面進行清洗；

使用去離子水DI對具有三層含Si的底部抗反射層的晶圓表面進行清洗；

使用雙氧水和氨水的混合液SC1對具有三層含Si的底部抗反射層的晶圓表面進行清洗；

在使用SPM對具有三層含Si的底部抗反射層的晶圓表面進行清洗時，清洗時的溫度為160℃，進行清洗的時間為8分鐘。

所述SPM的配比為(2～6)∶1。

所述SPM的配比為2∶1。

所述SC1中，雙氧水、氨水和水比例為1∶(1～5)∶(25～50)。

所述SC1中，雙氧水、氨水和水比例為1∶4∶27。