[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元器件的清洗方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910045825.4 | 申請日： | 2009-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN101789371A | 公開（公告）日： | 2010-07-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉煥新 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;B08B3/04;C11D7/08;C11D7/06;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 元器件 清洗 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體元器件的清洗方法，其特征在于，該方法包括：
使用硫酸和雙氧水的混合液SPM對具有三層含Si的底部抗反射層的晶圓表面進(jìn)行清洗；
使用去離子水DI對具有三層含Si的底部抗反射層的晶圓表面進(jìn)行清洗；
使用雙氧水和氨水的混合液SC1對具有三層含Si的底部抗反射層的晶圓表面進(jìn)行清洗；
在使用SPM對具有三層含Si的底部抗反射層的晶圓表面進(jìn)行清洗時，清洗時的溫度為160℃，進(jìn)行清洗的時間為8分鐘。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
所述SPM的配比為(2～6)∶1。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：所述SPM的配比為2∶1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：
所述SC1中，雙氧水、氨水和水比例為1∶(1～5)∶(25～50)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于：
所述SC1中，雙氧水、氨水和水比例為1∶4∶27。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：
在使用SC1對晶圓表面進(jìn)行清洗時，清洗時的溫度為60℃～70℃，進(jìn)行清洗的時間為5～10分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：
所述清洗時的溫度為70℃，進(jìn)行清洗的時間為5分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對晶圓表面進(jìn)行清洗包括：
通過噴霧清洗機(jī)臺對晶圓表面進(jìn)行清洗。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
